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皆さん、こんにちは

 

設計ではIMZA120R007M1H SiCパワーMOSFETを使用しています。

  1. 2つのMOSFETを同時に切り替え、これらの2つのMOSFETを共通のベースプレートに固定し、この状態でMOSFET間の温度がどのように上昇するかを確認します。
  •  

mosfet.png

  • 上記の画像のように、MOSFETはベースプレート(75mmX90mmX15mm)に配置されています。
  1. 1つのベースプレートに2つのMOSFETを配置することで、2つのMOSFETの温度が上昇したり、温度が分離されたりします。
  2. データシートIMZA120R007M1H Rth(j-a)=62K/WおよびRth(j-c)=0.20K/Wと記載されています。
  3. このK / Wを°C / Wに変換する方法は、任意の式が利用可能であることを示唆してください。

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Two-MOSFETs-placed-swiched-with-common-Heat-sink/td-p/646299

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1 解決策
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親愛なる@babum
インフィニオンからのご挨拶、

1. この場合、温度上昇を推定するには熱解析が必要なため、正確な温度上昇を計算で提供することはできません。
2.私の意見では、両方のMOSFETの中心にホットスポットが作成され、ヒートシンクは50Wの損失に対して十分ではないようです。
3. 摂氏 0 度は 273.15 k に相当しますが、摂氏 1 度の上昇は、ケルビン スケールで 1 ケルビンの上昇と正確に等しくなります。 したがって、K / w = degC / W変換は必要ありません。

提案:
熱シミュレーション ソフトウェアにアクセスできない場合は、特大のヒートシンクを使用し、デバイスを互いに少なくとも 20 ~ 25 mm 離して、下の図に示すように水平に取り付け、その上にヒートシンクを取り付けることをお勧めします。デバイスには、さらに冷却するために小さな BLDC EVAL_FAN_XMC_PFD7を追加します。
 
 
 
 
 
 

よろしくお願いいたします
サントシュ・クマール

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Two-MOSFETs-placed-swiched-with-common-Heat-sink/m-p/693471

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3 返答(返信)
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親愛なる@babum
インフィニオンからのご挨拶、
インフィニオンコミュニティにお問い合わせをお寄せいただき、ありがとうございます。

  1. 1つのベースプレートに2つのMOSFETを配置することで、2つのMOSFETの温度が上昇したり、温度が分離されたりします。
    2つのMOSFETの損失が加算され、最終的にはベースプレートの熱抵抗に基づいて温度が上昇します。
  2. データシートIMZA120R007M1H Rth(j-a)=62K/WおよびRth(j-c)=0.20K/Wと記載されています。このK / Wを°C / Wに変換する方法、任意の式が利用可能であることを示唆してください

    1 K/w = 1 °C/W
    したがって、ケルビン/ワットを摂氏/ワットに変換するには、数値に1を掛けるだけです。

ご不明な点がございましたら、お知らせください。

よろしくお願いいたします
サントシュ・クマール

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Two-MOSFETs-placed-swiched-with-common-Heat-sink/m-p/647807

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親愛なるサントシュ・クマール、
 
 
  • 各MOSFETを25Wの消費電力で動作させ、30分間連続して電源ONする計画です。
  • IMZA120R007M1Hデータシートでは、Rth(j-a)は62K / Wです。
  • 消費電力が25Wの場合、両方のMOSFETの温度はどのくらい上昇しますか?
  • ΔT = Rth(j-a) °C/W x 消費電力 に基づいて 温度上昇を計算しています
              • 旧。 ΔT = 62 °C/W X 2W ( 消費電力2W 時 )
                                   ΔT= 124°Cです。
                 
  • MOSFETの温度上昇の計算方法を教えてください。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Two-MOSFETs-placed-swiched-with-common-Heat-sink/m-p/647878

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親愛なる@babum
インフィニオンからのご挨拶、

1. この場合、温度上昇を推定するには熱解析が必要なため、正確な温度上昇を計算で提供することはできません。
2.私の意見では、両方のMOSFETの中心にホットスポットが作成され、ヒートシンクは50Wの損失に対して十分ではないようです。
3. 摂氏 0 度は 273.15 k に相当しますが、摂氏 1 度の上昇は、ケルビン スケールで 1 ケルビンの上昇と正確に等しくなります。 したがって、K / w = degC / W変換は必要ありません。

提案:
熱シミュレーション ソフトウェアにアクセスできない場合は、特大のヒートシンクを使用し、デバイスを互いに少なくとも 20 ~ 25 mm 離して、下の図に示すように水平に取り付け、その上にヒートシンクを取り付けることをお勧めします。デバイスには、さらに冷却するために小さな BLDC EVAL_FAN_XMC_PFD7を追加します。
 
 
 
 
 
 

よろしくお願いいたします
サントシュ・クマール

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Two-MOSFETs-placed-swiched-with-common-Heat-sink/m-p/693471

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