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ziwind
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         设计时遇到个问题,选用的DCDC输出12V,无法带重载启动,必须得电压稳定输出后,方可正常带重载。

         为了解决这个问题,验证时,选择了三极管+功率PMOS管设计,PMOS的D、S极串联在DCDC与负载之间,G极通过三极管进行控制,Ton延时时间做到了1s,原理可参考仿真图。具体选用的MOS管为IRF9383MTRPBF。

        三颗PMOS并联模式下,发热情况不太一致,相差约10℃左右。怀疑是三颗PMOS Rdson不一致造成的不均流。实际如果要过150A,需要更多的PMOS并联,风险也更大。

        因此,想问下有没有更合适的延时开关方案,最大持续电流需支持150A。

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喜马拉雅之雪
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Hi ziwind:

你的MOSFET是如何排布的?能分享下吗?

通常;由于热岛原因,处于特定位置的MOSFET温度会高些。但不代表电流会更大。如果PCB设计完全对称;温度高的MOSFET;电流反而可能会略微低些。温度与电流;虽然有正相关性,但并非绝对。通常可以直接测量D-S电压;粗略估算。

从电路角度;我不认为你的电路是合适的,其中100k栅极偏置驱动;在输入做电源倒切或开关抖动;会导致电源二次启动失效。

实际上;你的应用非常经典,如车灯控制等等,有非常可靠的产品可用。按你的应用;推荐BTS50005.

附件是数据表和查询网址:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BTS50005-1LUA-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347...

在原帖中查看解决方案

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Jingwei
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Hi,

我们有一篇文章和一系列产品专门针对你这个问题的。这里有一篇AN,我推荐你仔细阅读。里面也有产品选型和普通MOSFET的对比,并且还有并联均流能力对比。你在这里MOSFET作为开关使用,需要关注开关性能和SOA能力。

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_OptiMOS_Linear_FET_application_as_protection_in_batter...

Thanks and BR,

Steven

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ziwind
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5 sign-ins First reply posted First question asked

Hi:

        非常感谢您的回复!

        我看了下这篇文档,在电池供电电机驱动应用中选择了线性的OtpiMOS(属于NMOS)。这个系列在稳定运行过程中,最大功率极限与热稳定极限都比常规MOS高。在文档的figure5中,MOS管S级有电容,导通后给电容充电。这种场景使用低侧NMOS开关没问题。

        但在我的应用中,如图所示,MOS管S级接地。D级的0.1R为仿真时的模拟负载,实际应用时,没有这个0.1R电阻,V+网络通过连接器连接至下一级板卡的12V+,V-网络连接至下一级板卡的GND。而我们整个系统是共地的,因此一旦互连后,MOS管D级也会成为GND,此时这个NMOS是无法起到开关作用的吧?

          我个人的想法还是想应用多颗同型号PMOS并联,如IRF9383或BSC030P03NS3等,这样的风险大吗?

         补充下开关频率,基本上为恒开或者恒关,默认关断状态,开机后会稳定运行72h以上,谢谢。

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Jingwei
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我注意到IRF9383M的状态是not for new design。

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Ted_Liu
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你好,我想咨询IPW65R080CFDA引脚出现划痕是否会影响正常使用?这是管装原因导致还是有中国产地工艺问题导致?

mmexport1676972034130.jpg

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喜马拉雅之雪
Employee

Hi ziwind:

你的MOSFET是如何排布的?能分享下吗?

通常;由于热岛原因,处于特定位置的MOSFET温度会高些。但不代表电流会更大。如果PCB设计完全对称;温度高的MOSFET;电流反而可能会略微低些。温度与电流;虽然有正相关性,但并非绝对。通常可以直接测量D-S电压;粗略估算。

从电路角度;我不认为你的电路是合适的,其中100k栅极偏置驱动;在输入做电源倒切或开关抖动;会导致电源二次启动失效。

实际上;你的应用非常经典,如车灯控制等等,有非常可靠的产品可用。按你的应用;推荐BTS50005.

附件是数据表和查询网址:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BTS50005-1LUA-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347...

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