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大家好,論壇新手,如果重複類似的帖子,我深表歉意。

我的設計需要切換高功率來驅動 LED 以獲得短脈衝。

LED燈串的電壓為45V,電流最大為24A。

脈衝寬度為 5mS,總脈衝串頻率為 5 Hz。

我正在考慮使用 IAUZ40N06S5L050。 該 FET 位於串的底部,根據 LTSpice 的說法,Vds 僅約為 24V。 所以問題是,根據數據表,這有點超出安全區,但只是稍微超出了安全區,我被限制在非常小的空間內,所以封裝/佔地面積非常合適。 這行得通嗎?

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/td-p/743467

1 解決方案
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嗨,

感謝您在英飛凌社區上發帖。

能分享一下您的電路的更多細節嗎? Ltspice原理圖、波形等。

當你說驅動LED的電壓是45V但模擬顯示只有24V時,你能更詳細地解釋一下這個說法嗎?

您可以使用以下公式來檢查工作條件是否完全符合 MOSFET 規格。

Tj = Zthjc * Pd + Tc

這裡 Tj = 最大允許結溫 ( 150 C)
Zthjc = 瞬態熱阻
Pd = 總功耗
Tc = 外殼溫度 (25C)

Zthjc可以根據您的工作條件從下圖中獲得,

Abhilash_P_0-1713763098175.png

 

問候,
阿布拉什 P

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/m-p/743864

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嗨,

感謝您在英飛凌社區上發帖。

能分享一下您的電路的更多細節嗎? Ltspice原理圖、波形等。

當你說驅動LED的電壓是45V但模擬顯示只有24V時,你能更詳細地解釋一下這個說法嗎?

您可以使用以下公式來檢查工作條件是否完全符合 MOSFET 規格。

Tj = Zthjc * Pd + Tc

這裡 Tj = 最大允許結溫 ( 150 C)
Zthjc = 瞬態熱阻
Pd = 總功耗
Tc = 外殼溫度 (25C)

Zthjc可以根據您的工作條件從下圖中獲得,

Abhilash_P_0-1713763098175.png

 

問候,
阿布拉什 P

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/m-p/743864

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這可能是一個愚蠢的問題,但在查看安全工作區圖表時,您是否使用裝置關閉或開啟時的 Vds 值? 我假設是前者。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/m-p/744369

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我附上了我們的 LTSpice 類比電路的簡化版本。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/m-p/744388

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我在 LTSpice 中找到了 SAotherm 工具,並且我相信我已經找到了問題的答案。 謝謝

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/m-p/745265

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