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cross mob
yang
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选用IPB60R40CFD7 与2EDS8265H 做300V的电机驱动时,未加母线电压前,Vgs为完美的方波信号,但母线只有60V时上升沿与下降沿均出现严重震荡,电路板布局如下:驱动线长1.5cm 线宽1mm。

yang_0-1661397245394.png

 

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Rachel_G
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Hi 

欢迎使用英飞凌社区,

MOS在开关过程Vgs电压波形产生振荡主要原因是,MOS在开关过程中驱动回路的栅极电阻,MOS本身的寄生电容Cgs,以及驱动回路的寄生电感产生的RLC振荡。PCB的寄生电感对于fast-switching power系统的影响至关重要,因此在PCB布局上,我们需要进一步的优化。

关于PCB优化以下几点建议供您参考:

1.选择低ESR的去耦电容(对于每个输入(VDDI)和输出(VDDA, VDDB)电源),并将其放在尽可能靠近驱动IC的地方。

2.将栅极电阻Rg和MOSFET尽可能地靠近驱动IC,以便将驱动回路电感降至最低。

3.使用并联的Via孔来减少连接的阻抗.

对于2EDS8265H设计要求,注意事项等更多详细的信息,推荐一个AN供您参考,链接如下:https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-GateDriverICs_EiceDRIVER_2EDi_Using_the_EiceDRIVER_2EDi_famil...

该AN中图9如下图所示,也提供了设计栅极驱动电路的PCB布局方案供您参考。

Rachel_Gao_0-1661480283887.png

以上内容希望对您有所帮助,如有进一步的问题欢迎随时到英飞凌社区提问。

Best regards,

Rachel 

 

 

 

 

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Rachel_G
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欢迎使用英飞凌社区,

MOS在开关过程Vgs电压波形产生振荡主要原因是,MOS在开关过程中驱动回路的栅极电阻,MOS本身的寄生电容Cgs,以及驱动回路的寄生电感产生的RLC振荡。PCB的寄生电感对于fast-switching power系统的影响至关重要,因此在PCB布局上,我们需要进一步的优化。

关于PCB优化以下几点建议供您参考:

1.选择低ESR的去耦电容(对于每个输入(VDDI)和输出(VDDA, VDDB)电源),并将其放在尽可能靠近驱动IC的地方。

2.将栅极电阻Rg和MOSFET尽可能地靠近驱动IC,以便将驱动回路电感降至最低。

3.使用并联的Via孔来减少连接的阻抗.

对于2EDS8265H设计要求,注意事项等更多详细的信息,推荐一个AN供您参考,链接如下:https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-GateDriverICs_EiceDRIVER_2EDi_Using_the_EiceDRIVER_2EDi_famil...

该AN中图9如下图所示,也提供了设计栅极驱动电路的PCB布局方案供您参考。

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以上内容希望对您有所帮助,如有进一步的问题欢迎随时到英飞凌社区提问。

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