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嗨團隊,

我正在為我的 PSU 進行 MOSFET ( IAUS300N08S5N012T ) 閘極驅動器設計。為了進行分析,我正在使用 Infineon 的可用香料模型模擬 LTspice 中的模型。 對於閘道驅動部分,我使用 GD3160 閘極驅動器 IC。

模擬適用於低負載條件,但是當我嘗試增加負載以匹配 MOSFET 的峰值性能時,我會遇到錯誤,時間步驟"太小了。"

我無法找到問題的確切原因。 而這兩種模型如果單獨模擬,則工作完美。

設計中有沒有什麼我缺少的東西? 或者我應該做的任何參數更改?

另外,附上錯誤片段以供您參考。

 

提前致謝!

anand97_0-1697524278925.png

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Time-step-error-for-SPICE-MODEL/td-p/623566

1 解決方案
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是的,阿比拉什,您共享的文件正常工作。 我認為問題在於門驅動程序。

無論如何,感謝您的支持。

在原始文章中檢視解決方案

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4 回應
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嗨,

感謝您在英飛凌社區上發帖。

我看到您已經創建了一個類似的問題,如下所示。 如果您是否按照該主題中解釋的類似步驟,請告訴我,

https://community.infineon.com/t5/MOSFET-Si-SiC/LT-Spice-model-error/td-p/618383

 

問候,
阿布拉什 P

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嗨阿布拉什,

是的,我按照您在該主題中提到的步驟操作。 我仍然遇到時間步驟錯誤。

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嗨,

您可以使用附加的模型,如果遇到任何問題,請告訴我嗎?

 

問候,
阿布拉什 P

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是的,阿比拉什,您共享的文件正常工作。 我認為問題在於門驅動程序。

無論如何,感謝您的支持。

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