顺式值高门值

公告

大中华汽车电子生态圈社区并入开发者社区- 更多资讯点击此

Tip / 登入 to post questions, reply, level up, and achieve exciting badges. Know more

cross mob
Translation_Bot
Community Manager
Community Manager
Community Manager

亲爱的团队,

我们正在比较两种器件 IPB020N10N5LF 和 IPB020N10N5 的 BMS 设计等级 14S / 60 . 我们计划每块电路板使用 12MOSFET。

1. 我们遇到 Ciss 值太低了,即 输入电容 CISS - 典型值 - 650 最大值 - 840 pF ( IPB020N10N5LF) 与输入电容 CISS - 典型值-12000 最大值-15600 pF.

2. 对于栅极电阻栅极电阻1) RG - 典型值- 44 最大 66 Ω ( IPB020N10N5LF) VS 栅极电阻 RG - 典型值-1.3 最多 2 Ω (IPB020N10N5)。

请帮助建议栅极电阻 IPB020N10N5LF 中的太低值 Ciss 和高值是否正确?

最后但并非最不重要的一点是,我们是否考虑 IPB020N10N5LF 与 IPB020N10N5 用于 6 个并联 MOSFET 条件。

BR

用餐

0 点赞
1 解答
Translation_Bot
Community Manager
Community Manager
Community Manager

嗨 Dipti,

谢谢,,,

BR

用餐

在原帖中查看解决方案

0 点赞
7 回复数
Translation_Bot
Community Manager
Community Manager
Community Manager

LF 的 Ciss 和 Crss 要大得多,它不是针对切换应用程序的。 它具有广泛的 SOA,适用于 BMS、热插拔等必须具有宽 SOA 的应用程序。 OptiMOS具有最佳的开关性能和低开关损耗,但它 CAN上述应用中运行,因为它们很容易因SOA而损坏。

0 点赞
Translation_Bot
Community Manager
Community Manager
Community Manager

嗨,愤世嫉俗,

感谢您分享 Ciss 的低优势。

1. CAN 我们帮助提供高栅极电阻的建议? 即对于栅极电阻栅极电阻1) RG - 典型值- 44 最大 66 Ω ( IPB020N10N5LF)  VS 栅极电阻 RG - 典型值-1.3 最大 2 Ω (IPB020N10N5) ?

BR

用餐

 

0 点赞
Translation_Bot
Community Manager
Community Manager
Community Manager

这是集成栅极电阻。 它定义了 MOSFET 的最大开关速度。

0 点赞
Translation_Bot
Community Manager
Community Manager
Community Manager

好的,但是 当使用更高的栅极电阻时,开关时间会变长。随着开关损耗的影响增加并产生热量。这种高栅极电阻会影响整个系统的功率损耗吗。

BR

用餐

0 点赞
Translation_Bot
Community Manager
Community Manager
Community Manager

嗨 @Dine_infin

很抱歉回复延迟。

BMS 应用程序限制您使用低频 MOSFET,由于其更宽的 SOA 和较高的集成栅极电阻,因此在此应用中使用低频 MOSFET 更安全。 与OptiMOS相比,OptiMOS将提供最佳的开关性能和最低的开关损耗;但是,我们不能在此应用中使用OptiMOS,因为它会脱离SOA并很容易损坏器件。

问候,

Dipti

0 点赞
Translation_Bot
Community Manager
Community Manager
Community Manager

嗨 Dipti,

谢谢,,,

BR

用餐

0 点赞
Translation_Bot
Community Manager
Community Manager
Community Manager

它不会影响损耗增加,因为在 BMS 中,MOSFET 在静态状态下运行,通常不开关。

0 点赞