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大家好,在我的同步降压拓扑中,我使用 4 个并联IAUC70N08S5N074 MOSFET 作为顶部 MOSFET,也使用 4 个并联 MOSFET 作为底部 MOSFET。 我想知道它们是否会变热,我该如何计算和估算它们会变热,所以我在它们之间放置更多平行以区分 POWER_DRILL2GO 。 一些文章应该有所帮助,或者只是一般的经验。 谢谢 降压规格:Vin= 48V,Vout= 18-26V,Ioutmax=40A 谢谢大家!

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Buck-regulator-MOSFETs-heating/td-p/675073

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再加上我之前的回复,

必须验证MOSFET数据表中的SOA图表是否在其额定规格范围内工作。

顶部开关在 DT 时间导电,底部开关在(1-D)T 时间内导电。 规格中的开关频率和 Vds 应在 SOA 图表中获得的 MOSFET 额定值范围内。

有关更多详细信息,请参阅我在之前的回复中分享 6EDL_SPI_LINK 。

 

问候,
Abhilash P

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Buck-regulator-MOSFETs-heating/m-p/675133

在原帖中查看解决方案

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感谢您在英飞凌社区发帖。

请通过以下链接了解有关 MOSFET 并联的更多信息。

MOSFET 并联。

本页包含与 MOSFET 并联有关的所有必要解释。 (文件, 视频讲座和培训).

 

问候,
Abhilash P

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Buck-regulator-MOSFETs-heating/m-p/675132

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再加上我之前的回复,

必须验证MOSFET数据表中的SOA图表是否在其额定规格范围内工作。

顶部开关在 DT 时间导电,底部开关在(1-D)T 时间内导电。 规格中的开关频率和 Vds 应在 SOA 图表中获得的 MOSFET 额定值范围内。

有关更多详细信息,请参阅我在之前的回复中分享 6EDL_SPI_LINK 。

 

问候,
Abhilash P

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Buck-regulator-MOSFETs-heating/m-p/675133

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