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嗨,

我目前正在 PLECS Simulink 平台上研究使用 SiC MOSFET PLECS 模型 (IMZA120R020M1H) 的逆變器模型,我對熱模型中的傳導損耗感到非常困惑,因此我對此熱模型有 2 個問題。

1.正如下面的圖片 1 顯示,正向 MOSFET 的馮和反向 MOSFET 是一樣的, 考慮到 MOSFET 車身二極管的影響,它通常是正向 MOSFET 的馮和反向 MOSFET 應至少有點不同, 對吧? 據我所見,反向 MOSFET 的馮應該比前進 MOSFET 低一點,因為反向通道的羅恩較低。

 

2.由於 PLECS 熱模型類型為帶二極體的 " MOSFET",因此導通損耗應為 MOSFET 和本體二極體的總導通損耗。 如果 MOSFET 沒有正門信號,反向導通道應該只是身體二極管,對吧? 然而 不幸的是,熱模型似乎混合了反向 MOSFET 通道和體二極管通道。遺憾的是我 CAN在附件中上傳我的 plecs 模型,因此您 CAN 清楚地找出我的問題。問題是 當S5/S6 MOSFET沒有正柵極信號時(如圖2所示),由於沒有額外的體二極管通道來傳導電流,它仍然工作在MOSFET的反向通道中。對於這個問題,你CAN 我一個解決它的建議嗎?或者您是否有最新的正確 PLECS 模型 CAN 幫助我解決這個問題?

 

Joy_1-1694630285913.png

Joy_2-1694630675799.png

 

非常感謝您的回答和幫助!

 

最好的問候

喜悅

1 解決方案
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你好喜悅,

1.無論 MOSFET 是在正向還是反向開啟,其上的電壓降取決於其導通電阻(RDS_on)乘以通過它的電流(Ids)。 這意味著無論在第一或第三象限中,電壓降(Von)都保持不變。

2.你是正確的。 當二極體導電時,它會像 MOSFET 一樣經歷導通損耗。 如果二極體中的這些損耗很大,最好為 MOSFET 和二極體使用單獨的元件,並分別描述其溫度描述。 目前,我們沒有單獨的型號可用於此目的。

最好的問候,
薇琪 S

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6 回應
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您好喬伊, 
我們正在考慮您的查詢,並會盡快給您回复.

最好的問候,
薇琪 S

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你好喬伊,你
能否提供一個洞察到你正在模擬的拓撲和 plces 電路的捕捉。

最好的問候,
薇琪 S

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嗨,

我正在 模擬 一個 ANPC 逆變器,其中拓撲 MOSFET 應該在正向和反向運河工作,並且在 MOSFET 沒有正門信號時,主體二極管應該僅在遮蔽時工作,PLECS 電路如  圖所示。

Joy_2-1695027829056.png

 

順便說一句,在附件中,PLECS 類型不能附加。 也許您 CAN 向我提供支持電子郵件,然後我 CAN 向您發送我的 PLECS 模型,以便您 CAN 更好地了解我的問題。

Joy_3-1695027829123.png

非常感謝您的幫助。

最好的問候,

喜悅

 

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你好喜悅,

1.無論 MOSFET 是在正向還是反向開啟,其上的電壓降取決於其導通電阻(RDS_on)乘以通過它的電流(Ids)。 這意味著無論在第一或第三象限中,電壓降(Von)都保持不變。

2.你是正確的。 當二極體導電時,它會像 MOSFET 一樣經歷導通損耗。 如果二極體中的這些損耗很大,最好為 MOSFET 和二極體使用單獨的元件,並分別描述其溫度描述。 目前,我們沒有單獨的型號可用於此目的。

最好的問候,
薇琪 S

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嗨,薇琪,

非常感謝您的回答! 根據你的回覆,我仍然對 MOSFET 的特徵有點困惑。

1. 那麼這意味著正向或反向 MOSFET 運河的導通電阻(RDS_ON)在英飛凌產品中總是相同的? 由於我也使用沃爾夫速度 MOSFET 進行模擬,所以根據 Wolfspeed 的數據表和 PLECS 熱模型,看來導通電阻(RDS_on)的正反向 MOSFET 是不同的(如圖所示)。

Joy_0-1695209659133.png

2.因此,如果 MOSFET 沒有正門信號(如遮蔽時間),那麼只有 MOSFET 的體二極管導體,MOSFET 的正向和反向運河不會完全進行,對吧?

非常感謝您的回答!


最好的方面,
喜悅

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你好喬伊」、
1.」 Infineon 設備的 Rds(上)的差異可以忽略不計,因此在設備數據表中沒有提到它,也不會在模擬模型中考慮。
2. 是的,如果沒有閘極訊號,則只有 MOSFET 的體二極體會導通,因為反型層(提供CAN可以在源極和汲極端子之間通過的通道)不會被感應。

最好的問候,
薇琪 S

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