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親愛的先生,

我們看到了 SIC MOSFET 的 IFX DS 具有不同的 Vgs 規格從不同的封裝。

1.你CAN 我們確認以下規格嗎?謝謝!

IMZA65R027M1H(TO-247)

動態 -5 到 +23V @tpulse,< 15 納秒,為什麼 DS 中只有 負 脈衝時間?

靜態?

視頻。推薦 0 至 +18 伏

IMBG65R030M1H (TO-263)

動態 -7 至 +25V @tpulse,< 1% 工作週期/fs,為什麼 DS 中只有正脈衝時間?

靜態?

推薦 -2 至 +20V,為什麼推薦的 Vgs 使用-2V 對於 MOSFET 關閉?

2.最後一個問題是,英飛凌 SIC MOSFET 是否已經從溝槽改為平面結構?

 

1 解決方案
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你好 @KUOWENYUNG 

感謝您在英飛凌社區頁面上發布。

1. 第二代碳化矽 MOSFET 只是提供不同的封裝和新推薦的 vgs 範圍關閉?

不,這是 CoolSiC 數據表中的一般變化問題。 您將在所有新設備中看到相同的內容

第二代不僅是 D²PAK 中的一代產品。

2. 對不起是我的錯! 我可以知道動態和瞬態的不同,如下圖?

請參考附圖。

BandaruAkhil_0-1651829740558.png

 

最好的問候,

阿希尔·库马尔

 

在原始文章中檢視解決方案

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3 回應
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你好 @KUOWENYUNG 

感謝您在英飛凌社區頁面上發布。

注意:第一代 (IMZA65R027M1H(TO-247)) 和第二代 (IMBG65R030M1H (TO-263)) MOSFET 沒有技術差異,只是工藝和數據表表示有所不同。

IMZA65R027M1H(TO-247)

1) 視頻。動態 -5 到 +23V @tpulse,< 15 納秒,為什麼 DS 中只有 負 脈衝時間?

MOSFET CAN 承受高達 15 ns 的脈衝,可承受 -5 V 至 0 V 的給定電壓範圍。在第一代 SiC 中

MOSFET,數據表是用於負脈衝(動態)製成的。

靜態?

 

是的,Vgs 靜態電壓為 0 t0 18V。 靜態術語在數據表中沒有提到。

 

IMBG65R030M1H (TO-263)

動態 -7 至 +25V @tpulse,< 1% 工作週期/fs,為什麼 DS 中只有正脈衝時間?

靜態?

資料表值是針對暫態條件而提及的,而不是動態的。 參考附件的圖像。

BandaruAkhil_2-1651749283568.png

在第二代 SiC MOSFET 中,數據表是針對正脈衝(瞬態)製作的。

 

推薦 -2 至 +20V,為什麼推薦的 Vgs 使用-2V 對於 MOSFET 關閉?

-2V 建議關閉電壓,以避免任何寄生重新打開。 無論哪種方式,您 CAN 使用 0V 關閉 MOSFET,並將其連接到驅動器的箝位引腳以確保關斷位置(特別是在使用單極性電源時)。

2)最後一個問題是英飛凌 SIC MOSFET 是否已經從溝槽改為平面結構?

英飛凌已經從平面結構改為溝槽結構,以獲得更好的性能。 請參閱

附加 文件

如果需要任何幫助,請告訴我。

最好的問候,

阿希爾·庫馬爾。

 

 

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親愛的先生,

非常感謝你!

1. 第二代碳化矽 MOSFET 只是提供不同的封裝和新推薦的 vgs 範圍關閉?

2. 對不起是我的錯! 我可以知道動態和瞬態的不同,如下圖?

KUOWENYUNG_0-1651803198983.png

 

 

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你好 @KUOWENYUNG 

感謝您在英飛凌社區頁面上發布。

1. 第二代碳化矽 MOSFET 只是提供不同的封裝和新推薦的 vgs 範圍關閉?

不,這是 CoolSiC 數據表中的一般變化問題。 您將在所有新設備中看到相同的內容

第二代不僅是 D²PAK 中的一代產品。

2. 對不起是我的錯! 我可以知道動態和瞬態的不同,如下圖?

請參考附圖。

BandaruAkhil_0-1651829740558.png

 

最好的問候,

阿希尔·库马尔

 

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