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cross mob
NXTY_Fujioka
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MOSFETの過渡熱抵抗を求める際に使用するMOSFETのSwitching Dutyとtpの考え方について質問がございます。

MOSFETが常にON(Duty=1)の条件でMOSFETに流れる電流が正弦波(50Hz)だった場合のtp, Dutyについて、考え方を教えてください。

この条件で過渡熱抵抗を求める際に必要なDutyとtpを正確に求める場合、IDSを正弦波からパルス波に近似する必要があると考えます。

以下URLは東芝のアプリケーションノートで正弦波をパルス波形にする際の近似方法について記載がありました。

https://toshiba.semicon-storage.com/info/application_note_ja_20180726_AKX00027.pdf?did=59470

こちらを参考に近似すると以下図のような波形になると考えますので、以下図の条件では過渡熱抵抗を求める際のDutyとtpはそれぞれ、Duty=0.91, tp=9.1msになると推測します。

この考え方や近似方法は合っていますでしょうか?

NXTY_Fujioka_0-1684385985658.png

NXTY_Fujioka_1-1684386677983.png

 

ご確認頂けますと幸いです。

 

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Takashi_O
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@NXTY_Fujioka 様、

弊社Communityをご利用いただきありがとうございます。

近似のレベルに依存いたしますが、ご認識いただいておりますDuty=0.91, tp=9.1msで”計算上は”大きな乖離が発生しない程度の数値に収束するものと考えます。
厳密に行いたい場合は、区分求積法により積分を行い、重ね合わせの理とシングルパルスのZthを利用して推定いたしますが、今回いただいている例では、数値としてはかなりRthに近い値に収束するものと考えられます。

手計算で計算いたしますとかなり重い内容となり、実際のTjは導入するPCBモデルにより大きく異なります。手計算ではPCBモデルも併せた温度推定が困難であり、実ボードの測定値と計算値との乖離が懸念されます。そのため、
可能であれば弊社SpiceのL3モデルをご活用いただきPCBモデルも含めたTj推定を行っていただくことを推奨いたします。

L3モデルを提供していない製品にてご検討されている場合は別途ご相談いただければ幸いです。

何卒、よろしくお願いいたします。

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Takashi_O
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@NXTY_Fujioka 様、

弊社Communityをご利用いただきありがとうございます。

近似のレベルに依存いたしますが、ご認識いただいておりますDuty=0.91, tp=9.1msで”計算上は”大きな乖離が発生しない程度の数値に収束するものと考えます。
厳密に行いたい場合は、区分求積法により積分を行い、重ね合わせの理とシングルパルスのZthを利用して推定いたしますが、今回いただいている例では、数値としてはかなりRthに近い値に収束するものと考えられます。

手計算で計算いたしますとかなり重い内容となり、実際のTjは導入するPCBモデルにより大きく異なります。手計算ではPCBモデルも併せた温度推定が困難であり、実ボードの測定値と計算値との乖離が懸念されます。そのため、
可能であれば弊社SpiceのL3モデルをご活用いただきPCBモデルも含めたTj推定を行っていただくことを推奨いたします。

L3モデルを提供していない製品にてご検討されている場合は別途ご相談いただければ幸いです。

何卒、よろしくお願いいたします。

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