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需要帮助设计使用 CoolSiC MOSFET 的电源开关电路和相应的驱动器电路。 可能会导致在生产原型之后订购数千个组件。 我们现在正处于概念验证原型阶段,从机械开关过渡到电子开关。 这里有可以和我一起工作的公司工程师吗?

开关要求:工作电压最高可达 100A,最高可达 100V。 关闭时必须阻断双向电流。 三个独立的电路开关必须同时运行(在大约一微秒内),并保持开启状态至少 30-40 微秒才能关闭,然后再关闭三个相同的开关 180 度异相。 总频率范围从 50HZ 到 8KHZ。

对使用最新芯片的控制器电路建议持开放态度。 曾计划使用较旧的技术控制器或定时芯片。

谢谢!

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Selecting-CoolSIC-MOSFET-and-Driver-Circuit/td-p/652355

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嗨,

我可以帮你选择 MOSFET 和栅极驱动器。

  1. 两个 MOSFET 应作为公共漏极或公共源背靠背连接,以切断双向的电流
  2. MOSFET 应能承受短路电流。在 SC 期间会发生两件事
  • 我们需要检查 SOA MOSFET 能否承受关断能量损失
  • 由于关断期间的高 di/dt 会产生电压,这会影响 MOSFET 进入雪崩

请参阅链接了解更多详情

  1. 单个 MOSFET 可能无法承受短路,我们可能需要多个并联开关。您可以参考以下链接了解有关 MOSFET 并联的更多信息。
  2. 此电压规格不需要 SiC。 我有一些关于这个电压的 MOSFET 建议-链接
  3. 门极驱动器

 

 

 

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Selecting-CoolSIC-MOSFET-and-Driver-Circuit/m-p/658100

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嗨,

感谢您的请求。

你能否提供更多细节,

1. 最终产品

2。应用程序

3。拓扑

问候

Vignesh

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Selecting-CoolSIC-MOSFET-and-Driver-Circuit/m-p/652666

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最终产品是低压电源开关应用。

应用程序使用深循环电池组。

该电路将取代目前提供开关的机械换向器。

同样,三个开关必须同时在低于 100V 的电压和小于 100A 的负载下同时开启大约 30-40 微秒,然后关闭。 半段时间后(相位偏离 180 度),另一组由三个开关组成的开关必须同时打开 30-40 微秒,然后关闭。

控制器电路的周期频率将在 50HZ 和 8-10KHZ 之间变化," ON " 脉冲宽度将在 20 到 100 微秒之间。

感谢您帮助选择合适的 MOSFET 和驱动器。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Selecting-CoolSIC-MOSFET-and-Driver-Circuit/m-p/655135

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嗨,

我可以帮你选择 MOSFET 和栅极驱动器。

  1. 两个 MOSFET 应作为公共漏极或公共源背靠背连接,以切断双向的电流
  2. MOSFET 应能承受短路电流。在 SC 期间会发生两件事
  • 我们需要检查 SOA MOSFET 能否承受关断能量损失
  • 由于关断期间的高 di/dt 会产生电压,这会影响 MOSFET 进入雪崩

请参阅链接了解更多详情

  1. 单个 MOSFET 可能无法承受短路,我们可能需要多个并联开关。您可以参考以下链接了解有关 MOSFET 并联的更多信息。
  2. 此电压规格不需要 SiC。 我有一些关于这个电压的 MOSFET 建议-链接
  3. 门极驱动器

 

 

 

 

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