Bellawuさん、こんにちは。
これは「スナバ回路」だと思われます。
誘導性負荷T1を接続している時にMOSFETのスイッチをONからOFFすると、コイルの自己インダクタンスで逆起電力が発生し、ドレイン-ソース間電圧：VDSが上昇します。
VDSがトランジスタの降伏電圧を超えると、コイルの逆起電力による電流がMOSFETのドレイン-ソース間に流れます。この時発生する熱により、MOSFETが熱破壊する可能性があります。
これに対する対策として、コンデンサと抵抗をMOSFETに対し並列に接続します。
コンデンサC25はMOSFETがOFFする時に生じるコイルの逆起電力を抑え、抵抗R40&R180はMOSFETがONする時に流れる突入電流を制限する役割があります。
Hello, Bellawu-san.
This is considered to be a 'snubber circuit'.
When the MOSFET is switched off from ON when an inductive load T1 is connected, the self-inductance of the coil generates a back EMF and the drain-source voltage: VDS rises.
When VDS exceeds the breakdown voltage of the MOSFET, current due to the back EMF of the coil flows between the drain and source of the MOSFET. The heat generated at this time may cause thermal breakdown of the MOSFET.
As a countermeasure, a capacitor and a resistor are connected in parallel to the MOSFET.
Capacitor C25 suppresses the back EMF of the coil that occurs when the MOSFET turns OFF, while resistors R40 & R180 limit the inrush current that flows when the MOSFET turns ON.
你好，Bellawu先生。
这被认为是一个 "缓冲电路"。
当电感负载T1连接时，MOSFET从ON关断，线圈的自感产生了一个反电磁场，漏极-源极电压：VDS上升。
当VDS超过MOSFET的击穿电压时，由于线圈的反电磁场导致的电流在MOSFET的漏极和源极之间流动。 这时产生的热量可能导致MOSFET的热击穿。
作为一种对策，一个电容和一个电阻并联在MOSFET上。
电容器C25抑制了MOSFET关断时发生的线圈反电动势，而电阻R40和R180则限制了MOSFET开启时的浪涌电流。
