请问下,mos的漂移区电阻,其掺杂浓度很低开通时,其导通电阻岂不是非常高?是否有什么效应降低其导通电阻?

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ZhaiL
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请问下,mos的漂移区电阻,其掺杂浓度很低开通时,其导通电阻岂不是非常高?是否有什么效应降低其导通电阻?

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喜马拉雅之雪
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🤝ZhaiL问题越来越专业了,从应用—市场衍生到了半导体物理学👍

漂移区阻抗取决于该部位电阻率、厚度和芯片面积。耐压越高;飘移区越厚,电阻比例就会越大。

对于不同规格;通常会采用减薄基片、提高集成度、沟槽工艺和超结结构来减少飘移区压降。

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喜马拉雅之雪
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🤝ZhaiL问题越来越专业了,从应用—市场衍生到了半导体物理学👍

漂移区阻抗取决于该部位电阻率、厚度和芯片面积。耐压越高;飘移区越厚,电阻比例就会越大。

对于不同规格;通常会采用减薄基片、提高集成度、沟槽工艺和超结结构来减少飘移区压降。