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在高側和低側開關中,啟動帶電容器短,MOSFET 的排水、源和閘極在高側和低側 MOSFET 都有短,但是 bootstrap 二極體很好。 脈搏有足夠的死時間 在故障之前,在通過閘極和源探測時,閘脈衝具有負坡度,即閘極電壓從 15V 降至約 7V。 之後 MOSFET 在幾秒鐘內失敗。 閘脈衝中負坡度的原因是什麼?

edriftelectric_0-1702456949944.png

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/td-p/658803

1 解決方案
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親愛的 @edriftelectric

來自英飛凌的問候,

根據圖中顯示的圖表已被共享,

首先,我們需要知道黃色波代表什麼。

其次,假設綠色波形代表根據查詢的頂部 MOSFET 閘極電壓。

根據我們的分析,

1. 所選EVAL_BDPS_DRIVER用於源極/匯極到EVAL_100W_DRIVE_CFD2 Mosfet 閘極的電流能力對於所使用的閘極電阻來說是不夠的。

2. 同時,Bootstrap 電容也不是根據 MOSFET 的AUTONOM_DRIVING_CAR能力計算的。

EVAL_BDPS_DRIVER資料表6EDL_SPI_LINK中提供了計算結果。

作為參考,我們有關此計算的社區討論,請仔細閱讀它。

https://community.infineon.com/t5/Gate-Driver-ICs/2ED2183S06F-Gate-driver-bootstrap-capacitor-calcul...

三.除非使用裝置的情況或情況不同,否則建議使用閘極電阻的建議資料表值。

4. 我們沒有精確的引腳對引腳替換,但是我們擁有出色的閘極EVAL_BDPS_DRIVER ,具有整合自舉二極體,並且還具有適用於 MOSFET“IPD60R360P7SAUMA1”的更高電流AUTONOM_DRIVING_CAR功能

請檢查零件號碼“ 2ED2182S06F”

謝謝你

最好的問候,

希瓦納加馬爾斯瓦拉勞。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/662086

在原始文章中檢視解決方案

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親愛的 @edriftelectric

來自英飛凌的問候,

為了更精確地提供解決方案,我們需要一些信息。

您能否分享您的 Mosfets 及其EVAL_BDPS_DRIVER原理圖以及零件詳細信息

以便我們可以分析與問題相關的數據並與您聯繫。

 

謝謝你

最好的問候,

希瓦納加馬爾斯瓦拉勞。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/658998

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嗨席娃,

請找到本節的隨附的老鼠表。 檢查是否有任何射擊並增加操作時間。 我對微控制器的 PWM 引腳有助理連接,用於高端和低側,並在軟件中生成死時間。 MOSFET 仍然失敗了。 此外,我嘗試了使用 500V,5A MOSFET,並且通過刪除用於關閉 MOSFET 的 R 系列和二極管來嘗試僅使用 22 歐姆作為閘阻。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/660448

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親愛的 @edriftelectric

來自英飛凌的問候,

感謝您分享電路。 但我們可能需要更多信息來詳細分析。

請分享 IC 和 MOSFET 零件號碼,也請告訴我們您在什麼切換頻率下提供多少死時間。

 

AUTONOM_DRIVING_CAR直接來自微控制器接腳的 Mosfet 閘極並不安全。控制器可能損壞。

謝謝你。

最好的問候,

希瓦納加馬爾斯瓦拉勞。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/660561

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嗨席娃,

我已經連接了高側和低側閘脈衝的硬件波形,你可以看到高側 MOSFET 閘脈衝減少了很多,這次下降是在 bootstrap 電容器中。 即使我將啟動帶電容器從 1uF 增加到 10uF,電壓下降如第二圖所示(在電壓下降中稍好)。 使用的 Mosfet 是 IPD60R360P7SAUMA1,閘極EVAL_BDPS_DRIVER ST UCC27710DR,也請建議引腳對引腳取代此 Infineon 的EVAL_BDPS_DRIVER 。謝謝你

edriftelectric_0-1702645491770.jpeg

edriftelectric_1-1702645717366.jpeg

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/660962

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親愛的 @edriftelectric

來自英飛凌的問候,

根據圖中顯示的圖表已被共享,

首先,我們需要知道黃色波代表什麼。

其次,假設綠色波形代表根據查詢的頂部 MOSFET 閘極電壓。

根據我們的分析,

1. 所選EVAL_BDPS_DRIVER用於源極/匯極到EVAL_100W_DRIVE_CFD2 Mosfet 閘極的電流能力對於所使用的閘極電阻來說是不夠的。

2. 同時,Bootstrap 電容也不是根據 MOSFET 的AUTONOM_DRIVING_CAR能力計算的。

EVAL_BDPS_DRIVER資料表6EDL_SPI_LINK中提供了計算結果。

作為參考,我們有關此計算的社區討論,請仔細閱讀它。

https://community.infineon.com/t5/Gate-Driver-ICs/2ED2183S06F-Gate-driver-bootstrap-capacitor-calcul...

三.除非使用裝置的情況或情況不同,否則建議使用閘極電阻的建議資料表值。

4. 我們沒有精確的引腳對引腳替換,但是我們擁有出色的閘極EVAL_BDPS_DRIVER ,具有整合自舉二極體,並且還具有適用於 MOSFET“IPD60R360P7SAUMA1”的更高電流AUTONOM_DRIVING_CAR功能

請檢查零件號碼“ 2ED2182S06F”

謝謝你

最好的問候,

希瓦納加馬爾斯瓦拉勞。

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