碳化硅 MOSFET 体二极

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1496267784Si-IGBT-and-SiC-MOSFET.jpg

你好 

我正在使用英飞凌的 sic 模块 FS33MR12W1M1H_B11 或 FS28MR12W1M1H_B11 设计逆变器。

 

我的问题无非是人体二极管。

据我所知,对于IGBT模块,在模块上另外安装了二极管以提供反向电流。

相反,我知道MOSFET允许反向电流流动。

那么,我使用的两个碳化硅模块没有安装额外的二极管?

例如,在 IGBT 中,正向电流流经过 IGBT,反向电流流过二极管。
当正向电流通过 mosfet 流向碳化硅 mosfet 时,反向电流是流过 mosfet 还是二极管?

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亲爱的 @pmg1996

 

问候!

我的答案如下所述

那么,我使用的两个碳化硅模块没有安装额外的二极管?

答:上面提到的两个 MOSFET 模块具有固有的体二极管,无需添加额外的二极管

例如,在 IGBT 中,正向电流流经过 IGBT,反向电流流过二极管。
当正向电流通过 mosfet 流向碳化硅 mosfet 时,反向电流是流过 mosfet 还是二极管?

答案:

IGBT:是的,当二极管导通的电流为负时,你的理解是正确的

 

MOSFET:由于 MOSFET 是双向器件,当施加的栅极电压高于阈值时,电流将双向(正向和反向)流动。 当栅极电压低于阈值电压时,MOSFET 二极管将在负电流下工作,而不是 MOSFET。

注意:反向电流将流入 MOSFET 和二极管,路径由栅极阈值电压决定

 

谢谢

大师

 
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你好。

多亏了你,我才知道与IGBT不同,MOSFET不需要额外的二极管。
我想问你更多的问题。

我想在 2LEVEL 逆变器的环境中问一个问题。

1] 我知道,在计算 MOSFET 的传导损耗时,在正向电流流动时使用电阻 RDS (on)。 那么,如何找到流经二极管的反向电流的传导损耗呢?

2] 就IGBT而言,在计算传导损耗时,忽略流经二极管的反向电流而仅计算流经IGBT的正向电流是否正确?

3] 我知道,在估算IGBT的温度时,流经二极管的反向电流会被忽略,只计算正向电流。 那么,在估算 MOSFET 的温度时,是否应该同时考虑正向和反向电流?

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