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cross mob
ZhaiL
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SiC 和 IGBT 分别有什么特点? 

https://www.zhihu.com/question/505963127/answer/2912770175#comment-10509874920?notificationId=162252...

电动汽车直流充电桩的功率单元,如果采用Si MOSFET,则需要两级LLC串联,电路复杂,而如果采用SiC MOSFET,单级LLC就可以实现,从而大大提高充电桩的功率单元单机功率”,编辑一下吧,打错了,应该是采用IGBT需要两级串联分压吧

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Neo_Qin
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Hi @ZhaiL ,

连接到三相电源的快速直流电池充电改变了电动汽车(EV)市场的游戏规则,因为它减少了用户在续航方面的焦虑。同时,双向充电的储能解决方案也正在兴起,越来越多的场地上部署了电池容器,这些场地可以使用太阳能电池板等可持续能源为电动汽车充电,也可以用于其他用途。最先进的电池充电器在DC-DC级使用软开关LLC拓扑结构,见图5上(如果用户应用中不需要双向充电,二次侧开关位置可使用二极管替代)。由于足够低的动态损耗只存在于额定650V的Si器件中,因此需要两个级联的LLC全桥来支持800V的直流链路电压。

使用额定电压为1200V的SiC MOSFET,包括驱动IC在内的开关位置的数量可以减少一半(见图5中)。除了减少50%的部件数量,从而减少电路板空间要求外,还可以优化效率。对于SiC MOSFET解决方案,在每个导通状态下只有两个开关被打开,而在650 V解决方案中则有四个开关。目前,在基于硅的系统中,系统效率通常优化在97%左右,由于SiC MOSFET的输出电容较小,导通损耗减少了50%,关断开关损耗也降低了,因此可以获得超过1%的效率提升。对于双向充电,这意味着可以节省2%或更多的电池电量。

1200V SiC MOSFET的整体开关损耗低,加上适合硬换向的快速内部体二极管,也促进了传统的硬开关解决方案,如dual active bridge拓扑 (见图5下)。显著降低的控制工作,整体复杂性和零件数的减少,使这种解决方案越来越有吸引力。

Neo_Qin_0-1679913892529.png

综上所述,“采用Si MOSFET”这样的提法是正确的。

更多详细资料,请参考英飞凌以下技术文档:

SiC MOSFETs for Bridge Topologies in Three-Phase Power Conversion 

碳化硅器件在直流充电桩中的应用研究 

Kind Regards,

Neo

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Neo_Qin
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Hi @ZhaiL ,

连接到三相电源的快速直流电池充电改变了电动汽车(EV)市场的游戏规则,因为它减少了用户在续航方面的焦虑。同时,双向充电的储能解决方案也正在兴起,越来越多的场地上部署了电池容器,这些场地可以使用太阳能电池板等可持续能源为电动汽车充电,也可以用于其他用途。最先进的电池充电器在DC-DC级使用软开关LLC拓扑结构,见图5上(如果用户应用中不需要双向充电,二次侧开关位置可使用二极管替代)。由于足够低的动态损耗只存在于额定650V的Si器件中,因此需要两个级联的LLC全桥来支持800V的直流链路电压。

使用额定电压为1200V的SiC MOSFET,包括驱动IC在内的开关位置的数量可以减少一半(见图5中)。除了减少50%的部件数量,从而减少电路板空间要求外,还可以优化效率。对于SiC MOSFET解决方案,在每个导通状态下只有两个开关被打开,而在650 V解决方案中则有四个开关。目前,在基于硅的系统中,系统效率通常优化在97%左右,由于SiC MOSFET的输出电容较小,导通损耗减少了50%,关断开关损耗也降低了,因此可以获得超过1%的效率提升。对于双向充电,这意味着可以节省2%或更多的电池电量。

1200V SiC MOSFET的整体开关损耗低,加上适合硬换向的快速内部体二极管,也促进了传统的硬开关解决方案,如dual active bridge拓扑 (见图5下)。显著降低的控制工作,整体复杂性和零件数的减少,使这种解决方案越来越有吸引力。

Neo_Qin_0-1679913892529.png

综上所述,“采用Si MOSFET”这样的提法是正确的。

更多详细资料,请参考英飞凌以下技术文档:

SiC MOSFETs for Bridge Topologies in Three-Phase Power Conversion 

碳化硅器件在直流充电桩中的应用研究 

Kind Regards,

Neo

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