熱抵抗測定

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T3sterでテストしたSI MOSFETの熱抵抗RthJCがデータシートの標準と異なるのはなぜですか?

私が使用したMOSFETモデルは IPP076N15N5であり、測定された熱抵抗RthJCは約0.8K / Wであり、データテーブルのTypと矛盾し、Maxを超えています。 データ テーブルでは、標準は 0.4K/W、最大値は 0.7K/W です。 だから私はデータテーブルの値がどのように取得されるかを知りたい。ありがとうございました!

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1 解決策
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こんにちは @Gaojie

参照デバイスの説明は、中国の製品パンフレットに掲載されました。

以下のドキュメントリンクの8ページを参照してください。

http://www.simu-cad.com/userfiles/files/T3Ster%20%E5%BD%A9%E9%A1%B5%202020%E5%AE%A2%E6%88%B7%E7%89%8...

ブラジル、

ネオ

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6 返答(返信)
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こんにちは @Gaojie

インフィニオンの設計コラボレーションをご検討いただき、ありがとうございます。

IPP076N15N5はJEDEC準拠のデバイスであるため、RthJCテストは、過渡デュアルインターフェイス(TDI)テスト方法を使用して、熱電対でケース温度を測定せずにジャンクションからケースへの熱抵抗測定を実現するJESD 51-14規格を参照する必要があります。

これにより、RthJC測定の再現性が向上し、企業間の測定データエラーが減少します。

ブラジル、

ネオ

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こんにちは、@

T3sterのTDI試験方法も使用しましたが、方法1を使用して熱抵抗を求めたところ、毎回試験結果が異なり、その差は0.1K / Wを超えていました。 私は混乱しています。アドバイスをお願いします。

ありがとうございました

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こんにちは @Gaojie

アプリケーションエンジニアとして、私たちは製品の技術的パラメータの測定に直接関与していません。 したがって、私はTDIテストの私自身の理解に基づいてあなたの質問に答えようとします。

ある。まず、複数のテスト結果の分散が許容範囲内であることを確認する必要があります。 正常範囲を大幅に外している場合は、機器自体が原因であることを確認する必要があります。 T3Sterのマニュアルを確認しましたが、機器自体には参照装置が付属しており、そこから簡単に判断 CAN 。
b. DUTボディダイオードPN接合部温度テスト曲線(Vf-Ta曲線)を確認し、Kファクターが複数の測定で大幅に逸脱した場合、後続のテストは無意味になります。
c. 温度変化がある場合、接合部への熱伝達にかかる時間に特に注意する必要があり、順方向電圧が安定するまでに十分な時間を確保する必要があります。 TDI法は、接合部を含むDUT全体の温度が同じであることを前提としています。
d. 私はこのテストを実装したことはありませんが、それには多くのトリックがあると確信しています、人的要因によるテストバイアスがないことを確認してください。
e. MOSFETはESDに敏感なデバイスであり、予期しないESDイベントによるDUTの性能低下の影響を受けないようにします。

これらがお役に立てば幸いです。

ブラジル、
ネオ

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ボンジュール、@Neo_Qin 

あなたの答えをありがとうございました、それは私にとって大きな助けになるでしょう。 しかし CANT3sterのマニュアルに参照デバイスが見つかりません。もう少し詳しく説明していただけますか?

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こんにちは @Gaojie

参照デバイスの説明は、中国の製品パンフレットに掲載されました。

以下のドキュメントリンクの8ページを参照してください。

http://www.simu-cad.com/userfiles/files/T3Ster%20%E5%BD%A9%E9%A1%B5%202020%E5%AE%A2%E6%88%B7%E7%89%8...

ブラジル、

ネオ

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はい、ありがとうございます

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