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T3sterでテストしたSI MOSFETの熱抵抗RthJCがデータシートの標準と異なるのはなぜですか?

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1 解決策
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次の同様のスレッドを参照してください。

https://community.infineon.com/t5/MOSFET-Si-SiC/Thermal-resistance-measurement/td-p/480617

 

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アビラッシュP

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6 返答(返信)
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こんにちは、私が使用したMOSFETモデルは IPP076N15N5であり、測定された熱抵抗RthJCは約0.8K / Wであり、データテーブルのTypと矛盾し、Maxを超えています。 データテーブルでは、Typは0.4K / W、Maxは0.7K / Wです。ありがとうございました!

 

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こんにちは

インフィニオンコミュニティにご投稿いただきありがとうございます。

CAN データシートからの例と測定値の偏差率を共有してください。

 

よろしく
アビラッシュP

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こんにちは

Rthjcは測定境界条件に大きく依存します。 冷却にわずかな変化があると、異なる結果が得られます。

RthJCでは、ダイパッドを強い水冷下で測定し、ダイパッドを一定の温度(通常25°C)に保つことを意味します。 T3STERがこの状態に到達できない場合、RthJCはより高く測定されます。

よろしく
アビラッシュP

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こんにちは、@

ありがとうございました。 熱抵抗が1K / W未満のMOSFETの場合、RthJCを決定するために方法1(2つの熱インピーダンス曲線の分離点)が使用されますか?

高傑

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はい、私はT3sterを使用しています

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次の同様のスレッドを参照してください。

https://community.infineon.com/t5/MOSFET-Si-SiC/Thermal-resistance-measurement/td-p/480617

 

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アビラッシュP

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