為什麼MOSFET和IGBT特性不同?

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1. 異同點具體分類詳細解答 2. 造成不同的原因是哪些?盡可能每條詳細說明 3. 這種不同帶來的影響是什麼?應用場景有什麼差別? 4. 英飛凌熱賣的相關產品推薦:mosfet..igbt等,請推薦 5. 可以提供一些貼圖嗎? 5. 知乎原文: https://www.zhihu.com/question/621037209

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/%E4%B8%BA%E4%BB%80%E4%B9%88MOSFET%E5%92%8CIGBT%E7%89%B9%E6%80%A7%E4%B8%8D%E5%90%8C/td-p/680653

1 解決方案
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@EM4user , 您好!

從半導體物理的角度來說,兩種一個是多子器件,一個是少子器件,導通的載流子不同,因此本質上導電原理是不同的,造成了開關特性的差異也比較大,比如IGBT的關斷拖尾問題,Mosfet的體二極體等。英飛凌的Mosfet 耐壓範圍非常大,從20V - 900V的Si Mosfet, 以及耐壓高達1700V的SiC Mosfet,基本以單管為主;而IGBT分單管和模組系列產品,其單管的耐壓範圍在600V-1200V,模組的耐壓最高可達6500V。

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/%E4%B8%BA%E4%BB%80%E4%B9%88MOSFET%E5%92%8CIGBT%E7%89%B9%E6%80%A7%E4%B8%8D%E5%90%8C/m-p/681121

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1 回應
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@EM4user , 您好!

從半導體物理的角度來說,兩種一個是多子器件,一個是少子器件,導通的載流子不同,因此本質上導電原理是不同的,造成了開關特性的差異也比較大,比如IGBT的關斷拖尾問題,Mosfet的體二極體等。英飛凌的Mosfet 耐壓範圍非常大,從20V - 900V的Si Mosfet, 以及耐壓高達1700V的SiC Mosfet,基本以單管為主;而IGBT分單管和模組系列產品,其單管的耐壓範圍在600V-1200V,模組的耐壓最高可達6500V。

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/%E4%B8%BA%E4%BB%80%E4%B9%88MOSFET%E5%92%8CIGBT%E7%89%B9%E6%80%A7%E4%B8%8D%E5%90%8C/m-p/681121

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