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ZhaiL
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碳化硅mosfet与硅mosfet相比,结构上有何区别?这种结构上的区别会造成性能上的哪些区别?

https://www.zhihu.com/question/453242371/answer/2817649464#comment-10424452449?notificationId=160136...

求问一下为什么 Si Vgs 最大负电压可达到 -20V,而 SiC 只有负几伏呢

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Jingwei
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您好,

SiC的最大负压如果过大,会造成Vgs(th)漂移。同时会影响Rds(on),在这样的情况下,设备在高温下的工作时长不能保障。而Si没有这个特性。所以SiC的负压一般只有几伏。具体可以参考本篇文章。https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Guidelines_for_CoolSiC_MOSFET_gate_drive_voltage_window-Appli...

BR,

Steven

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Jingwei
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您好,

SiC的最大负压如果过大,会造成Vgs(th)漂移。同时会影响Rds(on),在这样的情况下,设备在高温下的工作时长不能保障。而Si没有这个特性。所以SiC的负压一般只有几伏。具体可以参考本篇文章。https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Guidelines_for_CoolSiC_MOSFET_gate_drive_voltage_window-Appli...

BR,

Steven

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