求问一下为什么 Si Vgs 最大负电压可达到 -20V，而 SiC 只有负几伏呢 求问一下为什么 Si Vgs 最大负电压可达到 -20V，而 SiC 只有负几伏呢 Employee ZhaiL Employee 一月 27, 2023 07:18 PM 标记为新 加注书签 订阅 禁止 订阅 RSS 提要 Permalink 打印 报告不当内容 一月 27, 2023 07:18 PM 跳至解决方案 碳化硅mosfet与硅mosfet相比，结构上有何区别？这种结构上的区别会造成性能上的哪些区别? https://www.zhihu.com/question/453242371/answer/2817649464#comment-10424452449?notificationId=160136... 求问一下为什么 Si Vgs 最大负电压可达到 -20V，而 SiC 只有负几伏呢 已解决！ 转到解答。 0 点赞 回复 订阅 1 解答 Re: 求问一下为什么 Si Vgs 最大负电压可达到 -20V，而 SiC 只有负几伏呢 Moderator Jingwei Moderator 一月 28, 2023 12:59 AM 标记为新 加注书签 订阅 禁止 订阅 RSS 提要 Permalink 打印 报告不当内容 一月 28, 2023 12:59 AM 跳至解决方案 您好， SiC的最大负压如果过大，会造成Vgs（th）漂移。同时会影响Rds（on），在这样的情况下，设备在高温下的工作时长不能保障。而Si没有这个特性。所以SiC的负压一般只有几伏。具体可以参考本篇文章。https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Guidelines_for_CoolSiC_MOSFET_gate_drive_voltage_window-Appli... BR， Steven 在原帖中查看解决方案 0 点赞 回复 所有论坛主题 前一个主题 下一个主题 1 回复 Re: 求问一下为什么 Si Vgs 最大负电压可达到 -20V，而 SiC 只有负几伏呢 Moderator Jingwei Moderator 一月 28, 2023 12:59 AM 标记为新 加注书签 订阅 禁止 订阅 RSS 提要 Permalink 打印 报告不当内容 一月 28, 2023 12:59 AM 跳至解决方案 您好， SiC的最大负压如果过大，会造成Vgs（th）漂移。同时会影响Rds（on），在这样的情况下，设备在高温下的工作时长不能保障。而Si没有这个特性。所以SiC的负压一般只有几伏。具体可以参考本篇文章。https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Guidelines_for_CoolSiC_MOSFET_gate_drive_voltage_window-Appli... BR， Steven 0 点赞 回复 发布回复
