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cross mob
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你好,不同封装类型的不同 Rds(on)值和规格是合理的,因为不同的封装电阻部分源于不同的焊线。 我想了解以下案例的原因,但这很难。 IRFB4227 200V TO220 中,Rds(on) 典型值 = 19.7 / Rds(on) 最大值 = 24.0 mOhm (Ciss = 4600pF) IRFP4227 200V TO247 封装,Rds(on) 典型值 = 21.0 / Rds(on) 最大值 = 25.0 mOhm (Ciss = 4600pF) IRFS4227 200V (D2PAK),Rds(on) 典型值 = 22.0 / Rds(on) 最大值 = 26.0 mOhm(Ciss = 4600pF)安装在 D2PAK 上时,通常不会因为没有漏极导线电阻而看到较低的 Rds(on)吗? 与 TO220 相比,安装在 TO247 上的 Rds(开启)更高的原因是什么? 您的建议将不胜感激。 谢谢 #IRFB4227 #IRFP4227 #IRFS4227

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Reason-for-Rds-on-spec-difference-for-each-package-type-of-200V-die-D2PAK-gt/td-p/669665

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嗨,

vigneshkumar_0-1704344819743.png

Rwcml = 键合线电阻、源极和漏极金属化之间的接触电阻以及硅、金属化和引线框贡献的总和。

引线框架材料因封装而异,这有助于增加 Rdson。

问候

Vignesh

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Reason-for-Rds-on-spec-difference-for-each-package-type-of-200V-die-D2PAK-gt/m-p/670429

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嗨,

vigneshkumar_0-1704344819743.png

Rwcml = 键合线电阻、源极和漏极金属化之间的接触电阻以及硅、金属化和引线框贡献的总和。

引线框架材料因封装而异,这有助于增加 Rdson。

问候

Vignesh

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Reason-for-Rds-on-spec-difference-for-each-package-type-of-200V-die-D2PAK-gt/m-p/670429

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嗨维格内什,

感谢您抽出宝贵的时间和建议!

 

最诚挚的问候,

ST Han

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Reason-for-Rds-on-spec-difference-for-each-package-type-of-200V-die-D2PAK-gt/m-p/670437

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