摩斯穿

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微信截图_20240125151352.jpg

如上圖,是做电。根人描述,GS 短接,DS 用直流電源加電,先快速加到 40V,然後 0.1V 率向上加到 59V,直至器件穿。0.5A 电流是电子穿器件后通的。

* 設備件 25℃,250 微安全下最低電壓 40 伏特

問是做的,他也不清楚。在這裡有如下的問題,

1、个耐穿做的 vs?

2、對穿后 0.5A 电流?

3、既然 0.5A 電流,那能不能 10A,20A?(不一直流電源最大 5.5A)

3、如何知道 59.6V 的器件穿了?有有可能 50V 就穿了了,而他在加電動了?

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/td-p/683350

1 解決方案
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@pianke006,你好了!

不清楚你上面描述的是為了做什麼了。是在做的?

以我們的一款40V耐壓的Mosfet IRFS7437為例,datasheet中Vdss的參數測試如下圖所示,您可以查看測試條件Id=250uA。

Daisy_T_0-1706169135224.png

方法:G, S 短接;增加 VDS 电子,使得的 ID 的电流增加到 250uA,个候的 VDS 电定成 Vdss。

你中是 0.5A,我到早就已穿了。

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/m-p/683381

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@pianke006,你好了!

不清楚你上面描述的是為了做什麼了。是在做的?

以我們的一款40V耐壓的Mosfet IRFS7437為例,datasheet中Vdss的參數測試如下圖所示,您可以查看測試條件Id=250uA。

Daisy_T_0-1706169135224.png

方法:G, S 短接;增加 VDS 电子,使得的 ID 的电流增加到 250uA,个候的 VDS 电定成 Vdss。

你中是 0.5A,我到早就已穿了。

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/m-p/683381

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多谢,教的原因就是我提的方案跟他行的不一。在清楚了他的方法。G,S 短接;增加 VDS 電氣,的電流,他是把電流限定在 0.5A,為了保持。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/m-p/685415

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