技術革新により、超大型の4H-SIC結晶を合成することは可能でしょうか?

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より技術的に進んだ未来に向けて、さまざまなアプリケーションにおけるシリコンカーバイド(SiC)MOSFETの重要性はいくら強調してもし過ぎることはありません。 SiC-MOSFETのユニークな特性により、SiC-MOSFETは高度な POWER_DRILL2GO エレクトロニクス技術における重要なコンポーネントとなり、効率の向上、エネルギー消費の削減、全体的な性能の向上に貢献します。

近年は、再生可能エネルギーに着目した仕事として、SIC-MOSFETに取り組んでいます。 SIC-MOSFETの高価な価格と優れた性能は、私を好きにも嫌いにもさせます。

私の知る限り、SICが高価なのは、SiC基板が高すぎるからです。 SiC基板は、炭化ケイ素結晶の合成が難しすぎるため、高価すぎます。

先月までは、核イオン実験装置を供給している友人のプラズマ研究所を訪ねた後でした。

振り返ってみて、彼のスキルは並外れていることに気づきました。

そこで思いついたのが、今のPVTとは違う技術的な解決策です。 このソリューションは次のようになります。

最初のステップでは、マイクロ波プラズマ技術を使用して、メタンとシランを含む2つのガスビームを加熱し、摂氏1000度に加熱して、1つ以上の電子を失った炭素(C)、シリコン(Si)、シリコン(Si)にします。 水素(H)原子のプラズマ。

次に、第2段階では、高温プラズマが特別に設計された磁場によって加速され、放出されます。

第3ステップでは、高速噴射プラズマを磁気スクリーンで分離します。 同じ電荷、異なる速度、異なる質量を持つ荷電粒子は、異なる軌道を持つため、分離することができます。

最後に、正電荷を帯びたC原子とSi原子をSiC種結晶の表面に適切な速度で集め、電荷を注入します。 このようにして、荷電した原子は中性に戻り、これらの原子は種結晶が成長し、完全に合成し続けることを可能にします。 SiC結晶。

理論的には、この手法を使えば、8インチ、12インチ、あるいはそれ以上のSiC結晶を合成でき、業界の新たな可能性が開けるのではないかと考えています。

これはあくまでも暫定的な計画であり、具体的な内容については現在検討中です。

しかし、私はプロの結晶合成エンジニアではないので、このソリューションを実際のエンジニアリングアプリケーションに実装することは可能でしょうか?

EVAL_PS_SIC_DP_MAIN:写真の右側の磁場の向きが間違っています。

示意图.jpg

 

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こんにちは@HarryHu123

申し訳ございませんが、合成プロセスに関連する情報が制限されており、共有できなかったため、このクエリにお答えできない場合があります。

よろしく

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磁気ふるいを使用する理由は、CH4とSIH4に含まれる不純物を取り除きたいからです

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それなら、この方法で超高純度シリコン、99.999999999...%(15個のナイン)を分離できないかと思います。 シリコンから始めて、炭化ケイ素を作ります。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Is-it-possible-for-us-to-synthesize-ultra-large-4H-SIC-crystals-through/m-p/664062

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