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MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

ZhaiL
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我们曾经发布的一条内容中,有用户咨询如下问题,请帮忙解答:

mosfet要防止寄生导通,那为什么不会发生寄生关断呢?是因为开通阈值很低吗?

https://www.zhihu.com/question/458519082/answer/2227075599

求问第一个式子,分母为什么是Cgd而不是Cgs?感谢

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1 Solution
Neo_Qin
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Hi @ZhaiL ,

Neo_Qin_1-1670249937758.png

在您提到的这个案例中,误导通的发生机制如下:

在MOSFET关断状态下,Drain电压突然升高(dVGD/dt)会在Drain与Gate之间的寄生电容上产生位移电流I1, 如上图所示。如果该位移电流在Gate-Source极的阻抗ZGS (ZGS=R// 1/jw*CGS)上产生超过VGS(th)的电压,将触发MOSFET误导通,严重情况下,器件会产生高功耗并导致破坏性故障。

在近似分析中,可以忽略RG的影响,简单的认为 ZGS≈ 1/jw*CGS

那么, 可以利用简单的分压原理推导出以下公式:

VGS = VDS * (1/jw*CGS) / (1/jw *CGS + 1/jw * CGD

因此文章中的公式推导是没有错误的,分母确实为CGD.

Neo_Qin_2-1670251655210.png

Regards,

Neo

 

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Neo_Qin
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Hi @ZhaiL ,

Neo_Qin_1-1670249937758.png

在您提到的这个案例中,误导通的发生机制如下:

在MOSFET关断状态下,Drain电压突然升高(dVGD/dt)会在Drain与Gate之间的寄生电容上产生位移电流I1, 如上图所示。如果该位移电流在Gate-Source极的阻抗ZGS (ZGS=R// 1/jw*CGS)上产生超过VGS(th)的电压,将触发MOSFET误导通,严重情况下,器件会产生高功耗并导致破坏性故障。

在近似分析中,可以忽略RG的影响,简单的认为 ZGS≈ 1/jw*CGS

那么, 可以利用简单的分压原理推导出以下公式:

VGS = VDS * (1/jw*CGS) / (1/jw *CGS + 1/jw * CGD

因此文章中的公式推导是没有错误的,分母确实为CGD.

Neo_Qin_2-1670251655210.png

Regards,

Neo

 

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