MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

[ZhaiL]

您好，请问为什么IPOSIM的SiC mos的损耗计算中，并没有计算二极管Diode的损耗呢？

[Jingwei]

Hi，

可以提供一下使用的器件型号和仿真拓扑吗？

BR，

Steven

[Desheng_Zhang]

您好！我是提问者。拓扑是三相两电平逆变器DC-AC_3P_2L，器件我试了FF8MR12W2M1_B11和FF23MR12W1M1_B11这两款SiC MOSFET，IPOSIM仿真里二极管的损耗显示的是Diode {notCalculated} 。 我看了数据表，表中并没有提供体二极管的反向恢复损耗，我猜测是把体二极管的反向恢复损耗算进了MOSFET的开通损耗？是这样吗？

[Jingwei]

Refer to the explanation below. A very good one.

BR,

Steven

[Jingwei]

或者是损耗计算截图，

谢谢

[喜马拉雅之雪 · Accepted solution]

Hi Zhail：

首先；SiC MOSFET的二极管是标准碳化硅二极管，反向恢复极快。对于IPM模块应用；开关损耗几乎为0.

其次；由于碳化硅二极管压降比较大（3.5V左右）且对RDSON有一定影响，不建议高比例的使用这个二极管，而采用同步工作模式（用MOSFET沟道续流）。因此；仅有死区时间有二极管通态损耗。比例极低。

因此；通常IPM在计算时；主要考虑SiC MOSFET损耗。精确计算时；可以用死区时间计算二极管损耗。

[Desheng_Zhang]

感谢！