1 解答
一月 12, 2023
06:38 PM
Hi Zhail:
首先;SiC MOSFET的二极管是标准碳化硅二极管,反向恢复极快。对于IPM模块应用;开关损耗几乎为0.
其次;由于碳化硅二极管压降比较大(3.5V左右)且对RDSON有一定影响,不建议高比例的使用这个二极管,而采用同步工作模式(用MOSFET沟道续流)。因此;仅有死区时间有二极管通态损耗。比例极低。
因此;通常IPM在计算时;主要考虑SiC MOSFET损耗。精确计算时;可以用死区时间计算二极管损耗。
6 回复数
一月 12, 2023
04:13 AM
您好!我是提问者。拓扑是三相两电平逆变器DC-AC_3P_2L,器件我试了FF8MR12W2M1_B11和FF23MR12W1M1_B11这两款SiC MOSFET,IPOSIM仿真里二极管的损耗显示的是Diode {notCalculated} 。 我看了数据表,表中并没有提供体二极管的反向恢复损耗,我猜测是把体二极管的反向恢复损耗算进了MOSFET的开通损耗?是这样吗?
一月 12, 2023
06:49 PM
Refer to the explanation below. A very good one.
BR,
Steven
一月 12, 2023
06:38 PM
Hi Zhail:
首先;SiC MOSFET的二极管是标准碳化硅二极管,反向恢复极快。对于IPM模块应用;开关损耗几乎为0.
其次;由于碳化硅二极管压降比较大(3.5V左右)且对RDSON有一定影响,不建议高比例的使用这个二极管,而采用同步工作模式(用MOSFET沟道续流)。因此;仅有死区时间有二极管通态损耗。比例极低。
因此;通常IPM在计算时;主要考虑SiC MOSFET损耗。精确计算时;可以用死区时间计算二极管损耗。
一月 12, 2023
06:46 PM
感谢!