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在高边和低边开关中,自举带电容短路,Mosfet 的漏极、源极和栅极在高边和低边 mosfet 都短路,但自举二极管还是不错的。 Pulse 有足够的死区时间。 失效前,在探测栅极和源极时,栅极脉冲具有负斜率,即栅极电压从 15V 降至大约 7V。 之后 mosfet 会在不到一秒钟的时间内失效。 栅极脉冲出现负斜率的原因可能是什么?

edriftelectric_0-1702456949944.png

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/td-p/658803

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亲爱的 @edriftelectric

来自英飞凌的问候,

根据图片中显示的图表已共享,

首先,我们需要知道黄色波浪代表什么。

其次,假设根据查询结果,绿色波形代表顶部 Mosfet 栅极电压。

根据我们的分析,

1。 所选的拉/灌EVAL_BDPS_DRIVEREVAL_100W_DRIVE_CFD2MOSFET栅极的电流能力不足以满足所用栅极电阻的要求。

2. 同时,自举电容也不是根据MOSFET的 AUTONOM_DRIVING_CAR 能力来计算的。

计算结果在 EVAL_BDPS_DRIVER 数据表 6EDL_SPI_LINK中提供。

作为参考,我们有一个关于这个计算的社区话题,请仔细阅读。

https://community.infineon.com/t5/Gate-Driver-ICs/2ED2183S06F-Gate-driver-bootstrap-capacitor-calcul...

3。最好使用栅极电阻器的推荐数据表值,除非您有不同的情况或场景需要使用该器件。

4. 我们没有精确的引脚到引脚替换,但是我们具有出色的栅极EVAL_BDPS_DRIVER ,集成了自举二极管,并且还具有AUTONOM_DRIVING_CAR MOSFET“ IPD60R360P7SAUMA1” 的更高电流 能力。

请检查零件编号“ 2ED2182S06F ”

谢谢。

最诚挚的问候,

Siva Naga Malleswararao。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/662086

在原帖中查看解决方案

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亲爱的 @edriftelectric

来自英飞凌的问候,

为了提供更精确的解决方案,我们需要一些信息。

您能否分享您的MOSFET及其 EVAL_BDPS_DRIVER 原理图以及零件详细信息

这样我们就可以分析与问题相关的数据并给您回复。

 

谢谢。

最诚挚的问候,

Siva Naga Malleswararao。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/658998

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嗨 Siva,

请查看本节所附的 gerber 表格。 检查是否有枪击事件并延长行动时间。 我有微控制器高边和低边的PWM引脚的maid 连接,并在软件中生成了死区时间。 但是 Mosfet 还是会失败的。 另外,我尝试使用500V、5A mosfet,还尝试通过移除用于关闭 mosfet 的 R 系列和二极管来仅使用 22 欧姆作为栅极电阻。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/660448

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亲爱的 @edriftelectric

来自英飞凌的问候,

感谢您分享电路。 但是我们可能需要更多信息来详细分析。

请分享 IC 和 Mosfet 部件号,还请告诉我们您在什么开关频率下提供的死区时间。

 

直接从微控制器引脚 AUTONOM_DRIVING_CAR MOSFET栅极是不安全的。 控制器可能已损坏。

谢谢。

最诚挚的问候,

Siva Naga Malleswararao。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/660561

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嗨 Siva,

我附上了高边和低边栅极脉冲的硬件波形,你可以看到高边 mosfet 栅极脉冲减少了很多,这个压差在自举电容器中。 即使我将引导带电容器从 1uF 增加到 10uF,电压降也如第二张图所示(电压降略好一些)。 使用的MOSFET是IPD60R360P7SAUMA1,栅极 EVAL_BDPS_DRIVER ST UCC27710DR, 也建议英飞凌的这种 EVAL_BDPS_DRIVER 引脚到引脚的更换。 谢谢。

edriftelectric_0-1702645491770.jpeg

edriftelectric_1-1702645717366.jpeg

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/660962

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亲爱的 @edriftelectric

来自英飞凌的问候,

根据图片中显示的图表已共享,

首先,我们需要知道黄色波浪代表什么。

其次,假设根据查询结果,绿色波形代表顶部 Mosfet 栅极电压。

根据我们的分析,

1。 所选的拉/灌EVAL_BDPS_DRIVEREVAL_100W_DRIVE_CFD2MOSFET栅极的电流能力不足以满足所用栅极电阻的要求。

2. 同时,自举电容也不是根据MOSFET的 AUTONOM_DRIVING_CAR 能力来计算的。

计算结果在 EVAL_BDPS_DRIVER 数据表 6EDL_SPI_LINK中提供。

作为参考,我们有一个关于这个计算的社区话题,请仔细阅读。

https://community.infineon.com/t5/Gate-Driver-ICs/2ED2183S06F-Gate-driver-bootstrap-capacitor-calcul...

3。最好使用栅极电阻器的推荐数据表值,除非您有不同的情况或场景需要使用该器件。

4. 我们没有精确的引脚到引脚替换,但是我们具有出色的栅极EVAL_BDPS_DRIVER ,集成了自举二极管,并且还具有AUTONOM_DRIVING_CAR MOSFET“ IPD60R360P7SAUMA1” 的更高电流 能力。

请检查零件编号“ 2ED2182S06F ”

谢谢。

最诚挚的问候,

Siva Naga Malleswararao。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/662086

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