如何计算 Mosfet 中的下降时间

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这摘自 https://application-notes.digchip.com/070/70-41484.pdf link.根据第 8 页的数据表,有人提到下降时间为 58nsec 但我得到 34nsec 计算结果已上传到下图中。 在第9页上显示了栅极-漏极电容的两点表示,从图中 CAN 可以看到Udd=14V,在同一页上Vdd=32V。所以我必须服用Udd = 14V或32V。Calculation for  fall timeCalculation for fall time计算坠落时间

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嗨 @anuja

共享文档的坠落时间测试条件为 Vdd=20V,因此公式中用于计算下降时间的每个参数都应处于相同的测试条件,即 Vdd=20V。 在这里,Vplateau 在 Vdd=20V 时不可用。 为了进行此计算,我们需要知道 Vdd=20V 处的 Vplateau。

问候,

Dipti

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感谢您的回复。 我还有一个疑问,如果 vdd 被视为 20V,Cgd1 和 Cgd2 的值会发生变化吗?

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Vplateau 依赖于 Vdd 电压吗?

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嗨 @anuja

是的,如果 Vdd 采用 20V,Cgd1 和 cgd2 以及 Vplateau 都会发生变化。

问候,

Dipti

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在这种情况下,Vplateau 的值应该是多少??

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嗨  @anuja

应用说明未在上述数据表中提供该产品的任何部件号。 因此,我们无法在这里分辨出Vplateau的价值。

 

问候,

Dipti

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