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MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

ZhaiL
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我们曾经发布的一条内容中,有用户咨询如下问题,请帮忙解答:

英飞凌干货|大功率二极管晶闸管知识连载——损耗

https://zhuanlan.zhihu.com/p/450767857

同等情况下,二极管的导通损耗小于晶闸管的导通损耗吗?

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1 Solution
喜马拉雅之雪
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如文章所述,Diode/SCR是PN结阻断器件。通态损耗包括PN结势垒损耗和体电阻损耗。

由于SCR是多PN结器件,通常会有比较高的势垒压降(有点像电池反电势叠加),所以;同电压电流参数规格器件;小电流下的损耗;二极管会有优势。

由于势垒压降与PN结结构和参杂有关,两种器件阻断机理不同而导致PN结设计差异,工程中需要具体情况具体计算对比。

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yiye_4841451
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25 sign-ins 25 replies posted 10 solutions authored

您所说的同等情况指什么?如文中给出的公式所示,导通损耗取决于器件的参数。

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喜马拉雅之雪
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如文章所述,Diode/SCR是PN结阻断器件。通态损耗包括PN结势垒损耗和体电阻损耗。

由于SCR是多PN结器件,通常会有比较高的势垒压降(有点像电池反电势叠加),所以;同电压电流参数规格器件;小电流下的损耗;二极管会有优势。

由于势垒压降与PN结结构和参杂有关,两种器件阻断机理不同而导致PN结设计差异,工程中需要具体情况具体计算对比。

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