MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

[ZhaiL]

我们曾经发布的一条内容中，有用户咨询如下问题，请帮忙解答：

英飞凌干货|大功率二极管晶闸管知识连载——损耗

https://zhuanlan.zhihu.com/p/450767857

同等情况下，二极管的导通损耗小于晶闸管的导通损耗吗？

[yiye_4841451]

您所说的同等情况指什么？如文中给出的公式所示，导通损耗取决于器件的参数。

[喜马拉雅之雪 · Accepted solution]

如文章所述，Diode/SCR是PN结阻断器件。通态损耗包括PN结势垒损耗和体电阻损耗。

由于SCR是多PN结器件，通常会有比较高的势垒压降（有点像电池反电势叠加），所以；同电压电流参数规格器件；小电流下的损耗；二极管会有优势。

由于势垒压降与PN结结构和参杂有关，两种器件阻断机理不同而导致PN结设计差异，工程中需要具体情况具体计算对比。