1 解答
十二月 08, 2022
12:55 AM
如文章所述,Diode/SCR是PN结阻断器件。通态损耗包括PN结势垒损耗和体电阻损耗。
由于SCR是多PN结器件,通常会有比较高的势垒压降(有点像电池反电势叠加),所以;同电压电流参数规格器件;小电流下的损耗;二极管会有优势。
由于势垒压降与PN结结构和参杂有关,两种器件阻断机理不同而导致PN结设计差异,工程中需要具体情况具体计算对比。
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十二月 08, 2022
12:55 AM
如文章所述,Diode/SCR是PN结阻断器件。通态损耗包括PN结势垒损耗和体电阻损耗。
由于SCR是多PN结器件,通常会有比较高的势垒压降(有点像电池反电势叠加),所以;同电压电流参数规格器件;小电流下的损耗;二极管会有优势。
由于势垒压降与PN结结构和参杂有关,两种器件阻断机理不同而导致PN结设计差异,工程中需要具体情况具体计算对比。