关于IPB027N10N3这个MOS使用的问题

[GGSMD]

电机驱动电路用的MOS是IPB027N10N3，然而在使用过程中发现发热比较严重（电流12.5A 电压48V 功率600W条件下很快就发热了 ），测量U相2个光耦高低输出端波形和U相上下管MOS的G级波形，如图所示：

注：示波器的1、3号是U相光耦输出和U相上管G级

绿色线不是直接下降，而是稳定维持在48V一会时间，然后突然下降，这样导致与紫色线（U相下管G级）相交，短路，产生热量，请问：什么会导致绿色线维持48V呢？

改了程序中的死区时间，发现改变的就是这段48V维持的时间

[Jingwei]

您好，

有几个问题想和您确认下。

1. 绿色线维持在48V是如下图标注的范围吗？

2. 2号线是哪路信号？

3. 麻烦介绍下输入输出的电压电流

[GGSMD]

1、是图中标注的范围

2、2号线是光耦低端输出信号

3、输入电压电流：48V   18A左右 （输入电压电流是外部电源的设置的参数）      实际输出电压电流：48V   7A左右

[Jingwei]

Hi，

可以拿差分探头测一下上管以及下管的GS的电压么？只是G级电压说明不了问题，这个管子最大Vgs建议在20V以内使用。为了便于排查问题，可以附上原理图或者部分原理图以及标注测试的点位么？

Steven

[GGSMD]

你好，由于之前测GS电压的时候板子会出现短路的情况，所以不太敢测了

以下是部分原理图，测试的点位：U相上管G级和U相下管G级分别对应示波器的3、4号

[GGSMD]

你好，请问，你之前在图中标注的范围是代表着什么呢，这一段我还没弄明白

[GGSMD]

再补上一张正常情况下的波形图（示波器每次截取到的波形都会不一样），

[Jingwei]

您好，

关于那一段平台属于米勒平台，是由于米勒电容也就是Cgd的放电速度慢导致的。正常的mosfet驱动过程都会有那一段平台，但是由于外部电路设计，可能会使得gate和drain之间的寄生电容比较高，可能会导致mosfet的栅极存在一段时间的稳定电压，因为这段时间内，Cgd的储存的电荷比较多，放电速度慢，电压就会维持在一个平台。

同时影响米勒平台长短的因素还有：

1. 驱动电流大小。驱动电流越大，米勒平台越小

2. Cgd和Cgs的比例。Cgd：Cgs比例越大，米勒平台越大。

3. Id越大，米勒平台越小。

最好还是看上管导通和关断时，Vgs的波形。

Steven

[GGSMD]

你好，我们测试的是G级与地，那段维持48V的地方，其实是Vgs=0的时候，不太像是米勒平台，

并且随着在程序中增大死区时间，这段维持48V的地方也会增长

[Jingwei · Accepted solution]

您好，

我观察到上管的栅极信号由原来的58V掉到48V，可能是GS或者GD短路。可以先不加母线电压，只加栅极电压，直接测量Vgs波形来排查短路原因。

Steven