关于 MOSFET 的 PLECS 热模式中传导损耗的问题 (IMZA120R020M1H)

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嗨,

我目前正在PLECS Simulink平台上研究使用您的SiC MOSFET PLECS模型(IMZA120R020M1H)的逆变器模型,我对热模型中的传导损耗感到非常困惑,我对这个热模型有2个问题。

1。正如下图 1 所示的正向 MOSFET 和反向 MOSFET 的 Von 一样,考虑到 MOSFET 内部体二极管的影响,通常正向 MOSFET 和反向 MOSFET 的 Von 至少应该略有不同,对吧? 据我所见,反向 MOSFET 的 Von 应该比正向 MOSFET 低一点,因为反向通道的 Ron 较低。

 

2。由于 PLECS 的热模型类型是带二极管的 " MOSFET",因此传导损耗应为 MOSFET 和体二极管的总传导损耗。 而且,如果 MOSFET 没有正栅极信号,反向传导通道应该只有体二极管,对吧? 然而, 不幸的是,热模型似乎混合了反向MOSFET通道和体二极管通道。遗憾的是,我 CAN没有在附件中上传我的 plecs 模型,所以你 CAN 清楚地弄清楚我的问题。问题是 当S5/S6 MOSFET没有正栅极信号时(如图2所示),由于没有额外的体二极管通道用于电流传导,它仍然在MOSFET的反向通道中工作。对于这个问题,你 CAN 给我一个解决它的建议?或者您是否拥有最新的正确PLECS模型 CAN 可以帮助我解决此问题?

 

Joy_1-1694630285913.png

Joy_2-1694630675799.png

 

非常感谢你的回答和帮助!

 

最好的问候

Joy

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你好 Joy,
我们正在调查你的疑问,很快就会回复你。

最诚挚的问候,
Vicky S

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你好 Joy,
能否请你深入了解一下你正在模拟的拓扑结构和 plces 电路的快照。

最诚挚的问候,
Vicky S

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嗨,

我正在 模 拟 一个 ANPC 逆变器,在这种逆变器中,拓扑 MOSFET 应该在正向和反向通道中工作,而体二极管只能在空白时间内工作,当 MOSFET 没有正栅极信号时 , PLECS电路如 下图 所示 。

Joy_2-1695027829056.png

 

顺便说一句,在附件中,无法附加 PLECS 类型。 也许您 CAN 给我一封支持电子邮件,然后我 CAN 向您发送我的PLECS模型,以便您 CAN 更好地了解我的问题。

Joy_3-1695027829123.png

非常感谢你的帮助。

最诚挚的问候,

Joy

 

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你好 Joy,

1。无论MOSFET是正向还是反向开启,其两端的电压降都取决于其导通电阻 (Rds_on) 乘以流过它的电流 (Id)。 这意味着无论是在第一象限还是第三象限,电压降 (Von) 都保持不变。

2。你说得对。 当二极管导通时,它会像MOSFET一样经历传导损耗。 如果二极管中的这些损耗很大,则最好为 MOSFET 和二极管使用单独的组件,并分别描述它们的热学描述。 目前,我们没有用于此目的的单独模型。

最诚挚的问候,
Vicky S

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嗨 Vicky,

非常感谢你的回答! 根据你的回复,我对MOSFET的特性还有点困惑。

1。 那么这意味着在英飞凌产品中,正向或反向 MOSFET 通道的导通电阻 (RDS_on) 完全相同? 因为我还使用了Wolfspeed MOSFET进行模拟,所以根据Wolfspeed的数据表和PLECS热模型,正向或反向MOSFET的导通电阻(RDS_on)似乎有所不同(如图所示)。

Joy_0-1695209659133.png

2。因此,如果 MOSFET 没有正栅极信号(比如消隐时间),那么只有 MOSFET 的体二极管导通,那么 MOSFET 的正向和反向通道就无法完全导通,对吧?

非常感谢你的回答!


最好的问候,
Joy

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你好 Joy,
1。 英飞凌器件的 Rds (on) 差异可以忽略不计,因此在器件数据表中没有提及,在仿真模型中也没有考虑。
2. 是的,如果没有栅极信号,则只有MOSFET的体二极管会导通,因为不会感应反转层(提供电流 CAN 在源极和漏极之间通过的通道)。

最诚挚的问候,
Vicky S

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