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亲爱的 IFX,

请问为什么碳化硅 MOSFET 的 Coss 只在数据表中提供室温下的数值? 我知道掺杂浓度会影响 MOSFET 耗尽区的厚度。 低温/高温没有影响? 为什么

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smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/About-Coss-of-SiC-MOSFET-at-low-high-temperature/td-p/689706

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嗨,

感谢您在英飞凌社区上发帖。

Mosfets 的寄生电容(如 Ciss、Coss 和 Crss)与温度无关。 因此,这些数据是在室温下给出的。

 

问候,

Abhilash {

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/About-Coss-of-SiC-MOSFET-at-low-high-temperature/m-p/694364

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