使用中 IPW65R041CFD7中、すべての波形に大きな干渉があり、焼損が発生しました

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このMOSトランジスタを降圧回路に適用し、ハードウェアと駆動回路を変更しない条件で、入力電圧が60Vに達するとこの問題は発生せず、焼損する可能性があります。

黄色の波形が下段管のGS、緑の波形が上段のGS、赤色の波形が下段のDS波形なのに、なんでこんなことになっているんだろう

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1 解決策
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こんにちは

投稿していただきありがとうございます

ゲートリンギングは、CPCB、Lスリフト、Lソース をできるだけ低くすることで軽減できますが、Rgを増やすことはある程度役に立ち、スイッチング損失を減らすことで効率を最適化する必要があるため、Rgを低く保ち、EMIの問題が発生する場合は、適切なレイアウトガイドラインに従って対処する必要があります。

  • 電源ループ面積を小さくする(例: 飛行機)
  • ゲート ループ領域の縮小
  • 電源ループの浮遊インダクタンスを最小化

コモンモードノイズを回避する設計

よろしく

ヴィニェシュ

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3 返答(返信)
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こんにちは

投稿していただきありがとうございます

ゲートリンギングは、CPCB、Lスリフト、Lソース をできるだけ低くすることで軽減できますが、Rgを増やすことはある程度役に立ち、スイッチング損失を減らすことで効率を最適化する必要があるため、Rgを低く保ち、EMIの問題が発生する場合は、適切なレイアウトガイドラインに従って対処する必要があります。

  • 電源ループ面積を小さくする(例: 飛行機)
  • ゲート ループ領域の縮小
  • 電源ループの浮遊インダクタンスを最小化

コモンモードノイズを回避する設計

よろしく

ヴィニェシュ

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ご回答ありがとうございます、そしてこのMOSFETのミラーコンデンサのサイズについて問い合わせたいのですが、データシートに関連するパラメータが表示されません。

感謝

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こんにちは

詳細については、データシートの図14を参照してください。

Cgd = シス

vigneshkumar_0-1700125353422.png

 

よろしく

ヴィニェシュ

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/In-use-During-the-IPW65R041CFD7-all-the-waveforms-had-huge-interference/m-p/642161

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