一月 10, 2023
12:18 AM
SiC MOSFET导通电阻和什么有关,我看到相同电压电流等级的Rdson,SiC的比IGBT还大?
你好,咨询一个问题,正向导通和反向导通的Rdson特性会有区别吗,带上体二极管的情况?谢谢~
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1 解答
一月 10, 2023
01:43 AM
Hi,
导通电阻取决于器件内部的结构(比如工艺水平,沟道宽度,掺杂浓度等)。但导通损耗不仅仅取决于Rdson,在小电流条件下,SiC MOSFET的饱和压降是要远小于IGBT的饱和压降的,因此导通损耗会更低。
正向导通的时候电流流经MOSFET,其内阻为Rdson。反向导通时电流流经二极管,此时电路中的电阻为Diode的内阻而不是Rdson。
1 回复
一月 10, 2023
01:43 AM
Hi,
导通电阻取决于器件内部的结构(比如工艺水平,沟道宽度,掺杂浓度等)。但导通损耗不仅仅取决于Rdson,在小电流条件下,SiC MOSFET的饱和压降是要远小于IGBT的饱和压降的,因此导通损耗会更低。
正向导通的时候电流流经MOSFET,其内阻为Rdson。反向导通时电流流经二极管,此时电路中的电阻为Diode的内阻而不是Rdson。