Tip / Sign in to post questions, reply, level up, and achieve exciting badges. Know more

MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

Bellawu
Employee
Employee
10 likes given 5 likes given 50 questions asked

这是一位用户的提问,麻烦帮忙解答,越详细越好,有图有真相。

氮化镓和碳化硅在应用上有什么区别,为什么没有推出碳化硅的充电器?

0 Likes
1 Solution
Neo_Qin
Moderator
Moderator
Moderator
100 sign-ins 10 likes received 50 replies posted

Hi Bellawu,

以英飞凌产品为例,对第一代半导体Si, 第三代半导体GaN & SiC 简单比较如下:

技术比较:

Neo_Qin_0-1670229897302.png

功率与频率:

Neo_Qin_2-1670230380379.png

产品应用矩阵:

Neo_Qin_1-1670230012520.png

英飞凌是功率半导体市场的领导者,是目前唯一掌握所有电源技术的制造商,其提供的基于硅(如 SJ MOSFET,IGBT)、碳化硅(如肖特基二极管,MOSFET)和氮化镓 (e-mode HEMT) 器件的产品和技术组合最为广泛,涵盖了裸片、离散和模块解决方案。

CoolMOS™SJ MOSFET 产品在导电性、开关和驱动损耗方面品质出众。CoolSiC™ 和 CoolGaN™ 能够实现极为高效和紧凑的系统设计,从而满足未来对更环保、更优质产品的需求。此外,采用 Si 和 WBG 技术的栅极驱动器 IC 的全面产品组合可释放开关的全部潜能。

CoolMOS™、CoolSiC™ 和 CoolGaN™ 都将涵盖 600 V/650 V段的电源产品,并根据应用要求提出特定的价值主张。

更多详细资料,请参考英飞凌以下应用手册:

High-voltage switches 500 V - 950 V CoolMOS™ - CoolSiC™ - CoolGaN™:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Experience_the_difference_in_power_CoolMOS_CoolSiC_CoolGaN-Pr...

Experience the difference in power with CoolMOS™, CoolSiC™, and CoolGaN™:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Experience-the-difference-in-power-with-CoolMOS-CoolSiC_CoolG...

 

至于为什么没有推出碳化硅的充电器,我想简单陈述如下:

虽然GaN和SiC同为第三代功率半导体的绝代双骄,但其应用场景有所区分。

一般来讲,SiC侧重于高压应用,GaN侧重于高频。在以便携性为核心竞争优势的充电器市场,GaN的高频特性可以更有效的提升产品功率密度,因此是更优的选择。

Regards,

Neo

 

 

 

View solution in original post

1 Reply
Neo_Qin
Moderator
Moderator
Moderator
100 sign-ins 10 likes received 50 replies posted

Hi Bellawu,

以英飞凌产品为例,对第一代半导体Si, 第三代半导体GaN & SiC 简单比较如下:

技术比较:

Neo_Qin_0-1670229897302.png

功率与频率:

Neo_Qin_2-1670230380379.png

产品应用矩阵:

Neo_Qin_1-1670230012520.png

英飞凌是功率半导体市场的领导者,是目前唯一掌握所有电源技术的制造商,其提供的基于硅(如 SJ MOSFET,IGBT)、碳化硅(如肖特基二极管,MOSFET)和氮化镓 (e-mode HEMT) 器件的产品和技术组合最为广泛,涵盖了裸片、离散和模块解决方案。

CoolMOS™SJ MOSFET 产品在导电性、开关和驱动损耗方面品质出众。CoolSiC™ 和 CoolGaN™ 能够实现极为高效和紧凑的系统设计,从而满足未来对更环保、更优质产品的需求。此外,采用 Si 和 WBG 技术的栅极驱动器 IC 的全面产品组合可释放开关的全部潜能。

CoolMOS™、CoolSiC™ 和 CoolGaN™ 都将涵盖 600 V/650 V段的电源产品,并根据应用要求提出特定的价值主张。

更多详细资料,请参考英飞凌以下应用手册:

High-voltage switches 500 V - 950 V CoolMOS™ - CoolSiC™ - CoolGaN™:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Experience_the_difference_in_power_CoolMOS_CoolSiC_CoolGaN-Pr...

Experience the difference in power with CoolMOS™, CoolSiC™, and CoolGaN™:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Experience-the-difference-in-power-with-CoolMOS-CoolSiC_CoolG...

 

至于为什么没有推出碳化硅的充电器,我想简单陈述如下:

虽然GaN和SiC同为第三代功率半导体的绝代双骄,但其应用场景有所区分。

一般来讲,SiC侧重于高压应用,GaN侧重于高频。在以便携性为核心竞争优势的充电器市场,GaN的高频特性可以更有效的提升产品功率密度,因此是更优的选择。

Regards,

Neo