Hi Bellawu,
以英飞凌产品为例，对第一代半导体Si, 第三代半导体GaN & SiC 简单比较如下：
技术比较：
功率与频率：
产品应用矩阵：
英飞凌是功率半导体市场的领导者，是目前唯一掌握所有电源技术的制造商，其提供的基于硅（如 SJ MOSFET，IGBT）、碳化硅（如肖特基二极管，MOSFET）和氮化镓 (e-mode HEMT) 器件的产品和技术组合最为广泛，涵盖了裸片、离散和模块解决方案。
CoolMOS™SJ MOSFET 产品在导电性、开关和驱动损耗方面品质出众。CoolSiC™ 和 CoolGaN™ 能够实现极为高效和紧凑的系统设计，从而满足未来对更环保、更优质产品的需求。此外，采用 Si 和 WBG 技术的栅极驱动器 IC 的全面产品组合可释放开关的全部潜能。
CoolMOS™、CoolSiC™ 和 CoolGaN™ 都将涵盖 600 V/650 V段的电源产品，并根据应用要求提出特定的价值主张。
更多详细资料，请参考英飞凌以下应用手册：
High-voltage switches 500 V - 950 V CoolMOS™ - CoolSiC™ - CoolGaN™：
Experience the difference in power with CoolMOS™, CoolSiC™, and CoolGaN™：
至于为什么没有推出碳化硅的充电器，我想简单陈述如下：
虽然GaN和SiC同为第三代功率半导体的绝代双骄，但其应用场景有所区分。
一般来讲，SiC侧重于高压应用，GaN侧重于高频。在以便携性为核心竞争优势的充电器市场，GaN的高频特性可以更有效的提升产品功率密度，因此是更优的选择。
Regards,
Neo
Hi Bellawu,
以英飞凌产品为例，对第一代半导体Si, 第三代半导体GaN & SiC 简单比较如下：
技术比较：
功率与频率：
产品应用矩阵：
英飞凌是功率半导体市场的领导者，是目前唯一掌握所有电源技术的制造商，其提供的基于硅（如 SJ MOSFET，IGBT）、碳化硅（如肖特基二极管，MOSFET）和氮化镓 (e-mode HEMT) 器件的产品和技术组合最为广泛，涵盖了裸片、离散和模块解决方案。
CoolMOS™SJ MOSFET 产品在导电性、开关和驱动损耗方面品质出众。CoolSiC™ 和 CoolGaN™ 能够实现极为高效和紧凑的系统设计，从而满足未来对更环保、更优质产品的需求。此外，采用 Si 和 WBG 技术的栅极驱动器 IC 的全面产品组合可释放开关的全部潜能。
CoolMOS™、CoolSiC™ 和 CoolGaN™ 都将涵盖 600 V/650 V段的电源产品，并根据应用要求提出特定的价值主张。
更多详细资料，请参考英飞凌以下应用手册：
High-voltage switches 500 V - 950 V CoolMOS™ - CoolSiC™ - CoolGaN™：
Experience the difference in power with CoolMOS™, CoolSiC™, and CoolGaN™：
至于为什么没有推出碳化硅的充电器，我想简单陈述如下：
虽然GaN和SiC同为第三代功率半导体的绝代双骄，但其应用场景有所区分。
一般来讲，SiC侧重于高压应用，GaN侧重于高频。在以便携性为核心竞争优势的充电器市场，GaN的高频特性可以更有效的提升产品功率密度，因此是更优的选择。
Regards,
Neo
