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cross mob
Bellawu
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为什么碳化硅SiC要先制作衬底,再在衬底上外延SiC制成外延片,而不是像纯硅晶圆一样直接切一块下来?

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Jingwei
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您好,

首先,SiC晶片的制作需要使用SiC衬底。这是因为SiC晶片本身的制造需要高温下生长,而SiC材料的晶体生长需要在高温下进行,而且需要有与晶体结构匹配的衬底。因此,在制造SiC晶片之前,需要首先制造具有SiC结构的衬底。

其次,由于SiC材料与普通的硅材料不同,因此其外延片制造方法也有所不同。一般情况下,SiC外延片需要使用物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)等方法在SiC衬底上生长。这种方法可以使得SiC晶体在SiC衬底上以相同的结构进行生长,从而获得高质量的SiC外延片。

总的来说,SiC晶片的制造需要使用特殊的方法,需要制造SiC衬底并在其上生长SiC晶体以获得高质量的SiC外延片。这与制造普通硅晶片的方法不同,因此不能像普通硅晶片一样直接切下来。

您可以在我们官网了解更多:https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/silicon-carbide/

BR,

Steven

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Jingwei
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您好,

首先,SiC晶片的制作需要使用SiC衬底。这是因为SiC晶片本身的制造需要高温下生长,而SiC材料的晶体生长需要在高温下进行,而且需要有与晶体结构匹配的衬底。因此,在制造SiC晶片之前,需要首先制造具有SiC结构的衬底。

其次,由于SiC材料与普通的硅材料不同,因此其外延片制造方法也有所不同。一般情况下,SiC外延片需要使用物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)等方法在SiC衬底上生长。这种方法可以使得SiC晶体在SiC衬底上以相同的结构进行生长,从而获得高质量的SiC外延片。

总的来说,SiC晶片的制造需要使用特殊的方法,需要制造SiC衬底并在其上生长SiC晶体以获得高质量的SiC外延片。这与制造普通硅晶片的方法不同,因此不能像普通硅晶片一样直接切下来。

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BR,

Steven

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