为什么在MOSFET的栅极和源极之间使用这个100K电阻器(部件号:IPC50N04S5L-5R5 PG-TDSON-8-33)

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我们将英飞凌(IPC50N04S5L-5R5 PG-TDSON-8-33)MOSFET用于同步降压转换器应用。

为什么在 MOSFET 的栅极和源极之间使用这个 100K 电阻? (请参阅此处的屏幕截图)
为什么是 100K? 这个电阻器有推荐的容差吗?

如果我改变电阻器的值会怎样?

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嗨,

感谢您在英飞凌社区上发帖。

栅极驱动电路” 是指位于低阻抗栅极驱动器电路输出和 MOSFET 栅极端子之间的网络。这些电路将逻辑电平脉冲转换为栅极驱动级脉冲,能够提供足够的灌电流和源极来对 MOSFET 栅极进行充电和放电,从而实现快速切换。

最简单的栅极驱动电路由电阻 RG 组成,用于限制栅极驱动电流和控制开关时间。 这对于限制 EMI 是必要的,它还可以抑制由于快速 dv/dt 与 MOSFET 寄生电容和电感元件共同作用而可能出现在栅极上的振荡振荡。 这种振铃 CAN 导致MOSFET以非常高的频率多次打开和关闭,而不是一次干净的过渡,这 CAN 导致器件在切换大量电压和电流时发生故障。 强烈建议在栅极和源极之间使用kΩ范围(通常为10 kΩ)的电阻RGS,以便在栅极与驱动器电路断开连接时,MOSFET栅极将放电。如果没有这个,MOSFET可能会在应该关闭时保持导通,因此当电路中的另一个MOSFET接通时, CAN 发生短路,其中非常高的电流导致多个组件被破坏 CAN 并且也会烧毁PCB。由于MOSFET用于同步降压转换器(仅是半桥电路),因此放电该栅极电荷对于避免桥式MOSFET之间的击穿是非常必要的。

       

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问候,
Abhilash P

 

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