专业,请教下,这里怎么理解但是该结构也有很大的缺点,首先硅MOSFET有体二极管,在氮化镓反向导通电流时又存在体二极管的反向恢复问题

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cross mob
ZhaiL
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第三代半导体,碳化硅SiC与氮化镓GaN,它俩谁会在未来更有优势呢?

https://www.zhihu.com/question/536383636/answer/2956974020#comment-10514116187?notificationId=162432...

专业,请教下,这里怎么理解但是该结构也有很大的缺点,首先硅MOSFET有体二极管,在氮化镓反向导通电流时又存在体二极管的反向恢复问题

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Daisy_T
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@ZhaiL ,您好!

但是该结构也有很大的缺点,首先硅MOSFET有体二极管,在氮化镓反向导通电流时又存在体二极管的反向恢复问题。--》这句话的理解要参考下面的图片中的Si Mosfet理解,讲的是这个Si Mosfet的体二极管的反向恢复问题。

tengD_0-1680076433186.jpeg

 

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Daisy_T
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@ZhaiL ,您好!

但是该结构也有很大的缺点,首先硅MOSFET有体二极管,在氮化镓反向导通电流时又存在体二极管的反向恢复问题。--》这句话的理解要参考下面的图片中的Si Mosfet理解,讲的是这个Si Mosfet的体二极管的反向恢复问题。

tengD_0-1680076433186.jpeg

 

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喜马拉雅之雪
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Hi ZhaiL:

每种材料都有特定的用途。如面条和大米;谁会成为最终主食?

人有所长;尺有所短,世上只有最适合的。

对于你提及的GaN HEMT反向二极管问题;是早期产品。包括英飞凌在内;已经淘汰了这种复合结构而改用单体结构。即只有沟道导通;没有二极管参与。

从目前市场看,碳化硅只要用于高效;较大功率市场,并向极大功率和中小功率两个方向衍生。

对于GaN,主要局限在高密度中小功率ZVS市场。