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こんにちは、ゲート抵抗 EVAL_100W_DRIVE_CFD2 それぞれ5.1オームのIPT039N15N5ATMA1 EVAL_100W_DRIVE_CFD2 個の並列MOSFETにゲート回路を取り付けました。 ゲート EVAL_100W_DRIVE_CFD2 入力電圧は15Vです。 本日はありがとうございました。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Three-Phase-motor-controller-gate-drive-circuit-correction/td-p/660488

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こんにちは

ご説明ありがとうございます。

MOSFETを並列化する際に考慮すべき点はほとんどありません。

  1. 各MOSFETに専用のゲート抵抗をご使用ください。
  2. 回路と部品の配置は、PCB上で対称でなければなりません。
  3. ゲートからソース間、またはゲートからドレインへの外付けコンデンサの追加は避けてください。 必要に応じて、ゲート抵抗の値を調整してFETのスイッチング速度を最適化します。
  4. AUTONOM_DRIVING_CAR単一 の並列MOSFETEVAL_BDPS_DRIVER の場合、使用するMOSFETのゲート電荷の合計を考慮する必要があります。
  5. EVAL_100W_DRIVE_CFD2ゲート のEVAL_BDPS_DRIVER 電流能力が小さい場合、ターンオン/ターンオフ時間が影響を受けます。必要なアプリケーションには、より EVAL_100W_DRIVE_CFD2 電流対応デバイスを使用できます。
  6. ゲート EVAL_BDPS_DRIVERを使用する前に、必要な条件で TLE9243QK_BASE_BOARD をシミュレートし、MOSFETのスイッチング速度を確認できます。 ゲート EVAL_100W_DRIVE_CFD2 電流とスイッチング時間は関係しています。 したがって、これを考慮に入れる必要があります。 このことを念頭に置いて、MOSFET(並列MOSFET)の立ち上がり時間を計算し、 EVAL_100W_DRIVE_CFD2 電流と一致させる必要があります。
  7. 並列MOSFETAUTONOM_DRIVING_CAR際に考慮すべきもう1つのことは、並列MOSFETとEVAL_BDPS_DRIVER間のトレース長をできるだけ同じに保ち、タイミングの差を最小限に抑えて、すべてのFETが同時に負荷を感じるようにする必要があることです。
  8. MOSFETを並列接続する場合、電流負荷はデバイス間で共有されます(同じ特性を持ち、同じTjである場合)。 ゲート電圧の時間オフセットにより、多少の不一致が生じます。 ボディダイオードも負荷を分担します。 体調をシミュレーションし、FOMのばらつきを確認してください。QrrはIdとdi/dtに大きく依存し、後者は主に COOLDIM_PRG_BOARD の浮遊インダクタンスによって決定されることに注意してください。 可能な限り最良の近似を得るために、特定のパラメータを使用してシミュレーションを行うことをお勧めします。
  9. EVAL_100W_DRIVE_CFD2機能は、EVAL_100W_DRIVE_CFD2する必要がある頻度によって異なります。ゲートEVAL_BDPS_DRIVERは任意の数のMOSFETをEVAL_100W_DRIVE_CFD2できますが、立ち上がり時間、立ち下がり時間、スイッチング周波数などの要件に応じてEVAL_BDPS_DRIVER TLE9243QK_BASE_BOARDを選択する必要があります。最大の可能性を考えてみましょう..総ゲート電荷は5*78nで、これは390nCに相当します。EVAL_100W_DRIVE_CFD2電流は約4Aであるため、
    dt = dq / IPアドレス
    = 390n / 4
    = 97.4nsです。
  10. 以前の回答で共有したシミュレーション 6EDL_SPI_LINK を使用して、要件の TLE9243QK_BASE_BOARD をシミュレートしてください。
  11. バイパスコンデンサとブートストラップコンデンサの寸法については、添付のアプリケーションノートのセクション3に目を通してください。
  12. 以上の説明が、MOSFETを並列接続する際に取るべき重要な手順と、MOSFETを並列接続できる条件の理解に役立つことを願っています。

よろしく
アビラッシュP

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Three-Phase-motor-controller-gate-drive-circuit-correction/m-p/661236

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3 返答(返信)
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こんにちは

インフィニオンのコミュニティにご投稿いただきありがとうございます。

私のコメントを以下にしてください。 また、回路のデバッグを続行するために、ユーザー側からの入力もほとんど必要ありません。

1)この回路を不正に操作しましたか? はいの場合、回路に問題がありますか?

2) 回路に接続されているMOSFETのピンがデータシートのピンと一致していません。 (2番ピンから8番ピンはソースピン)

3)ゲート EVAL_100W_DRIVE_CFD2 抵抗はゲートピンに接続されていませんが、実際には2次電圧源に接続されています。 これには何か理由がありますか? 参考までに、ゲート EVAL_BDPS_DRIVER データシートのスニペットを以下に添付しました。

Abhilash_P_0-1702631641913.png

4) ゲート EVAL_100W_DRIVE_CFD2 とMOSFETの選択は正しいようです。 選択したゲート EVAL_100W_DRIVE_CFD2 は、ハーフブリッジ回路の EVAL_100W_DRIVE_CFD2 に使用されます。

5) VDDIとGNDIの間にはバイパスコンデンサをご使用ください。

6) PWM制御信号の電圧レベルはいくつですか?

7)電源電圧が3.5V>デバイスを使用するには、オンチップのスイッチド低ドロップアウトレギュレータ(SLDO)をアクティブにし、外部シャント抵抗RVDDIをアクティブにする必要があります
VDDIに接続されています。 VDDIとGNDIの間にセラミックバイパスコンデンサ(10nF〜22nF)を使用することをお勧めします。
SLDOは、SLDONピンがGNDIに接続されている場合にアクティブになります。 有線接続をお勧めします。
SLDOは、外部電源電圧間に接続された外付け抵抗RVDDIを介して電流を安定化します
図の通りのVDDとピンVDDIで、必要な電圧降下を発生させます。 適切な操作のためには、
RVDDIを流れる電流が、入力チップの最大消費電流IVDDを常に上回るようにしました。
したがって、RVDDIは以下を満たす必要があります。
RVDDI < (VDD - 3.3) / IVDD、最大値
VDD = 12Vの標準的な選択肢はRVDDI = 3kΩであり、抵抗電流とVDDIの間に十分なマージンがあります
動作電流。 ダイナミック電流のピークは、VDDIとGNDIの間のブロッキング・キャップ(10〜22nF)によって除去されます。

😎 残りの接続は問題ないようです。

9) このゲート EVAL_BDPS_DRIVER 部品は、インフィニオンのオンラインスパイスシミュレーションプラットフォームであるTina cloud / Infineon designerで入手できます。 以下は、要件に応じてさまざまな仕様と受動部品の値 ゲート 6EDL_SPI_LINKをシミュレートできるシミュレーション回路のEVAL_100W_DRIVE_CFD2TLE9243QK_BASE_BOARD です。

シミュレーション

 

よろしく
アビラッシュP

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こんにちはアビラッシュ、

5つの並列MOSFETとそれぞれのゲート抵抗が下部にあり COOLDIM_PRG_BOARD ゲート信号は回路図に示されているコネクタを介して下部 COOLDIM_PRG_BOARD に取り込まれます。 ゲート電圧は15V、 EVAL_NLM0011_DC_RE 6EDL_SPI_LINK 電圧は100Vです。 RVDDIを提案していただきありがとうございます。 ブートストラップコンデンサ0603、4.7uFに5つの並列MOSFET EVAL_100W_DRIVE_CFD2 ても大丈夫かどうか疑問があります。 一部の回路では、1uFを使用してもブートストラップコンデンサの電圧が低下するのが見られるためです。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Three-Phase-motor-controller-gate-drive-circuit-correction/m-p/660956

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こんにちは

ご説明ありがとうございます。

MOSFETを並列化する際に考慮すべき点はほとんどありません。

  1. 各MOSFETに専用のゲート抵抗をご使用ください。
  2. 回路と部品の配置は、PCB上で対称でなければなりません。
  3. ゲートからソース間、またはゲートからドレインへの外付けコンデンサの追加は避けてください。 必要に応じて、ゲート抵抗の値を調整してFETのスイッチング速度を最適化します。
  4. AUTONOM_DRIVING_CAR単一 の並列MOSFETEVAL_BDPS_DRIVER の場合、使用するMOSFETのゲート電荷の合計を考慮する必要があります。
  5. EVAL_100W_DRIVE_CFD2ゲート のEVAL_BDPS_DRIVER 電流能力が小さい場合、ターンオン/ターンオフ時間が影響を受けます。必要なアプリケーションには、より EVAL_100W_DRIVE_CFD2 電流対応デバイスを使用できます。
  6. ゲート EVAL_BDPS_DRIVERを使用する前に、必要な条件で TLE9243QK_BASE_BOARD をシミュレートし、MOSFETのスイッチング速度を確認できます。 ゲート EVAL_100W_DRIVE_CFD2 電流とスイッチング時間は関係しています。 したがって、これを考慮に入れる必要があります。 このことを念頭に置いて、MOSFET(並列MOSFET)の立ち上がり時間を計算し、 EVAL_100W_DRIVE_CFD2 電流と一致させる必要があります。
  7. 並列MOSFETAUTONOM_DRIVING_CAR際に考慮すべきもう1つのことは、並列MOSFETとEVAL_BDPS_DRIVER間のトレース長をできるだけ同じに保ち、タイミングの差を最小限に抑えて、すべてのFETが同時に負荷を感じるようにする必要があることです。
  8. MOSFETを並列接続する場合、電流負荷はデバイス間で共有されます(同じ特性を持ち、同じTjである場合)。 ゲート電圧の時間オフセットにより、多少の不一致が生じます。 ボディダイオードも負荷を分担します。 体調をシミュレーションし、FOMのばらつきを確認してください。QrrはIdとdi/dtに大きく依存し、後者は主に COOLDIM_PRG_BOARD の浮遊インダクタンスによって決定されることに注意してください。 可能な限り最良の近似を得るために、特定のパラメータを使用してシミュレーションを行うことをお勧めします。
  9. EVAL_100W_DRIVE_CFD2機能は、EVAL_100W_DRIVE_CFD2する必要がある頻度によって異なります。ゲートEVAL_BDPS_DRIVERは任意の数のMOSFETをEVAL_100W_DRIVE_CFD2できますが、立ち上がり時間、立ち下がり時間、スイッチング周波数などの要件に応じてEVAL_BDPS_DRIVER TLE9243QK_BASE_BOARDを選択する必要があります。最大の可能性を考えてみましょう..総ゲート電荷は5*78nで、これは390nCに相当します。EVAL_100W_DRIVE_CFD2電流は約4Aであるため、
    dt = dq / IPアドレス
    = 390n / 4
    = 97.4nsです。
  10. 以前の回答で共有したシミュレーション 6EDL_SPI_LINK を使用して、要件の TLE9243QK_BASE_BOARD をシミュレートしてください。
  11. バイパスコンデンサとブートストラップコンデンサの寸法については、添付のアプリケーションノートのセクション3に目を通してください。
  12. 以上の説明が、MOSFETを並列接続する際に取るべき重要な手順と、MOSFETを並列接続できる条件の理解に役立つことを願っています。

よろしく
アビラッシュP

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Three-Phase-motor-controller-gate-drive-circuit-correction/m-p/661236

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