ボディダイオードによるSiC MOSFETの導通損失

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こんにちは。

インフィニオンのsicモジュールFS33MR12W1M1H_B11またはFS28MR12W1M1H_B11を使用してインバータを設計しています。
2LEVELインバータの環境で質問したいのですが。

私の質問は、SiC MOSFETのボディダイオードに他なりません。

1] MOSFETの導通損失を計算するとき、順電流が流れているときの抵抗RDS(on)が使われることを知っています。 では、ダイオードを流れる逆電流の導通損失はどうすればわかりますか?

2] IGBTの場合、導通損失を計算する際、ダイオードに流れる逆電流を無視し、IGBTに流れる順方向電流のみを計算するのは正しいですか?

3] IGBTの温度を推定する際、ダイオードに流れる逆電流は無視し、順方向電流のみを算出すると理解しています。 では、MOSFETの温度を見積もる際には、順方向電流と逆電流の両方を考慮する必要があるというのは本当でしょうか?

4] SiC MOSFETが逆電流の場合のスイッチング損失はどのように求めればよいですか? データシートには、電流の正の値のみが記載されています。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/SiC-MOSFET-conduction-loss-with-body-diode/td-p/636661

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親愛なる@pmg1996 

あいさつ!

私の答えは以下に記載されています

1] MOSFETの導通損失を計算するとき、順電流が流れているときの抵抗RDS(on)が使われることを知っています。 では、ダイオードを流れる逆電流の導通損失はどうすればわかりますか?

答える: データシートからリバースモード中にRdsをオンにし、MOSFETに電流が流れている場合はi2 * Rdsonを実行してください。

2] IGBTの場合、導通損失を計算する際、ダイオードに流れる逆電流を無視し、IGBTに流れる順方向電流のみを計算するのは正しいですか?

答える: いいえ、IGBTの逆電流損失を考慮する必要がありますが、基本的にはダイオード損失と呼んでいます

 

3] IGBTの温度を推定する際、ダイオードに流れる逆電流は無視し、順方向電流のみを算出すると理解しています。では、MOSFETの温度を見積もる際には、順方向電流と逆電流の両方を考慮する必要があるというのは本当でしょうか?

答える: はい、MOSFETの場合、MOSFETに印加されたゲート電圧に基づく逆電流の流れも考慮する必要があります。 MOSFETまたはボディダイオードの損失はゲート電圧に依存します。逆電流モードでMOSFETにゲート電圧を印加する場合は、MOSFETの損失を計算し、それ以外の場合はボディダイオードに計算してください

4] SiC MOSFETが逆電流の場合のスイッチング損失はどのように求めればよいですか? データシートには、電流の正の値のみが記載されています。

答える: スイッチング損失は、同様の順方向モードで行うことができますが、導通損失に見られる違いと同じと見なすことができる値のみです。

あなたの損失計算のためにIPOSIMを行ってください、リンクは以下にあります

https://iposim.infineon.com/application/

ありがとうございました

グル

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1] MOSFETの導通損失を計算するとき、順電流が流れているときの抵抗RDS(on)が使われることを知っています。 では、ダイオードを流れる逆電流の導通損失はどうすればわかりますか?

答える: データシートからリバースモード中にRdsをオンにし、MOSFETに電流が流れている場合はi2 * Rdsonを実行してください。

2] IGBTの場合、導通損失を計算する際、ダイオードに流れる逆電流を無視し、IGBTに流れる順方向電流のみを計算するのは正しいですか?

答える: いいえ、IGBTの逆電流損失を考慮する必要がありますが、基本的にはダイオード損失と呼んでいます

 

3] IGBTの温度を推定する際、ダイオードに流れる逆電流は無視し、順方向電流のみを算出すると理解しています。では、MOSFETの温度を見積もる際には、順方向電流と逆電流の両方を考慮する必要があるというのは本当でしょうか?

答える: はい、MOSFETの場合、MOSFETに印加されたゲート電圧に基づく逆電流の流れも考慮する必要があります。 MOSFETまたはボディダイオードの損失はゲート電圧に依存します。逆電流モードでMOSFETにゲート電圧を印加する場合は、MOSFETの損失を計算し、それ以外の場合はボディダイオードに計算してください

4] SiC MOSFETが逆電流の場合のスイッチング損失はどのように求めればよいですか? データシートには、電流の正の値のみが記載されています。

答える: スイッチング損失は、同様の順方向モードで行うことができますが、導通損失に見られる違いと同じと見なすことができる値のみです。

あなたの損失計算のためにIPOSIMを行ってください、リンクは以下にあります

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ありがとうございました

グル

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