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ハイサイドとローサイドのスイッチングでは、ブートストラップコンデンサが短くなり、ハイサイドとローサイドの両方のMOSFETでMOSFETのドレイン、ソース、ゲートが短絡しましたが、ブートストラップダイオードは良好です。 パルスには十分なデッドタイムがあります。 故障前は、ゲートとソースの両端をプローブしているときに、ゲートパルスは負の傾きになり、ゲート電圧が15Vから約7Vに低下します。 その後、MOSFETはほんの一瞬で故障します。 ゲートパルスの負の傾きの原因は何でしょうか?

edriftelectric_0-1702456949944.png

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/td-p/658803

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親愛なる@edriftelectric

インフィニオンからのご挨拶、

写真に示されているグラフが共有されているように、

まず、黄色の波が何を表しているかを知る必要があります。

次に、緑色の波形がクエリに従ってトップMOSFETゲート電圧を表していると仮定します。

私たちの分析によると、

1. ソース/シンクで 選択した EVAL_BDPS_DRIVERがMOSFETゲート EVAL_100W_DRIVE_CFD2 する電流能力は、使用するゲート抵抗では十分ではありません。

2.同時に、ブートストラップ容量もMOSFETの AUTONOM_DRIVING_CAR 能力に従って計算されません。

計算は、 EVAL_BDPS_DRIVER データシート 6EDL_SPI_LINKに記載されています。

参考までに、この計算に関するコミュニティスレッドがありますので、そちらをご覧ください。

https://community.infineon.com/t5/Gate-Driver-ICs/2ED2183S06F-Gate-driver-bootstrap-capacitor-calcul...

3. デバイスを使用する状況やシナリオが異なる場合を除き、ゲート抵抗のデータシートの推奨値を使用することをお勧めします。

4.正確なピンからピンへの交換はありませんが、ブートストラップダイオードを内蔵し、MOSFET「EVAL_BDPS_DRIVER AUTONOM_DRIVING_CARIPD60R360P7SAUMA1」 の高電流 機能を備えた優れたゲート があります。

部品番号「2ED2182S06F」を確認してください

ありがとうございました。

よろしくお願いいたします

シヴァ・ナーガ・マレスワララオ。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/662086

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親愛なる@edriftelectric

インフィニオンからのご挨拶、

より正確な方法でソリューションを提供するには、いくつかの情報が必要です。

MOSFETSとその EVAL_BDPS_DRIVER 回路図を部品の詳細と共有していただけませんか

これにより、問題に関連するデータを分析し、お客様に返信できます。

 

ありがとうございました。

よろしくお願いいたします

シヴァ・ナーガ・マレスワララオ。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/658998

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こんにちはシヴァ、

このセクションの添付のガーバーシートをご覧ください。 シュートスルーがあるかどうかを確認し、行為時間を増やします。 ハイサイドとローサイドのマイコンのPWMピンにメイド接続し、ソフトウェアでデッドタイムを生成しました。 それでもMOSFETは故障します。 また、500V、5AのMOSFETで試してみましたが、MOSFETのターンオフに使用したRシリーズとダイオードを取り外して、ゲート抵抗を22Ωに抑えてみました。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/660448

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親愛なる@edriftelectric

インフィニオンからのご挨拶、

回路を共有してくれてありがとう。 しかし、詳細に分析するには、さらにいくつかの情報が必要になる場合があります。

ICとMOSFETの部品番号を共有し、どのスイッチング周波数でどのくらいのデッドタイムを提供しているかを教えてください。

 

また、MOSFETゲートをマイクロコントローラのピンから直接 AUTONOM_DRIVING_CAR するのは安全ではありません。 コントローラーが破損している可能性があります。

ありがとうございました。

よろしくお願いいたします

シヴァ・ナーガ・マレスワララオ。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/660561

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こんにちはシヴァ、

ハイサイドとローサイドのゲートパルスのハードウェア波形を添付しましたが、ハイサイドMOSFETのゲートパルスが大幅に減少し、このドロップはブートストラップコンデンサにあります。 ブーツストラップのコンデンサを1uFから10uFに増やしても、電圧降下は2番目の図のようになります(電圧降下がわずかに良くなります)。 使用されるMOSFETはIPD60R360P7SAUMA1、ゲート EVAL_BDPS_DRIVER ST UCC27710DRであり、 インフィニオンのこの EVAL_BDPS_DRIVER のピン間交換も提案します。 ありがとうございます。

edriftelectric_0-1702645491770.jpeg

edriftelectric_1-1702645717366.jpeg

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Boot-strap-capacitor-failure-dead-short/m-p/660962

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親愛なる@edriftelectric

インフィニオンからのご挨拶、

写真に示されているグラフが共有されているように、

まず、黄色の波が何を表しているかを知る必要があります。

次に、緑色の波形がクエリに従ってトップMOSFETゲート電圧を表していると仮定します。

私たちの分析によると、

1. ソース/シンクで 選択した EVAL_BDPS_DRIVERがMOSFETゲート EVAL_100W_DRIVE_CFD2 する電流能力は、使用するゲート抵抗では十分ではありません。

2.同時に、ブートストラップ容量もMOSFETの AUTONOM_DRIVING_CAR 能力に従って計算されません。

計算は、 EVAL_BDPS_DRIVER データシート 6EDL_SPI_LINKに記載されています。

参考までに、この計算に関するコミュニティスレッドがありますので、そちらをご覧ください。

https://community.infineon.com/t5/Gate-Driver-ICs/2ED2183S06F-Gate-driver-bootstrap-capacitor-calcul...

3. デバイスを使用する状況やシナリオが異なる場合を除き、ゲート抵抗のデータシートの推奨値を使用することをお勧めします。

4.正確なピンからピンへの交換はありませんが、ブートストラップダイオードを内蔵し、MOSFET「EVAL_BDPS_DRIVER AUTONOM_DRIVING_CARIPD60R360P7SAUMA1」 の高電流 機能を備えた優れたゲート があります。

部品番号「2ED2182S06F」を確認してください

ありがとうございました。

よろしくお願いいたします

シヴァ・ナーガ・マレスワララオ。

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