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Infineon recommends that you isolate the sensor from vibration sources. The operating frequency of the sensor is 40 Hz. If vibration is expected at exactly 40 Hz with very high acceleration (≤ 0.3 g), you should do the following to minimize the vibration impact:
However, for a typical application, the impact of vibration is minimal. As shown in Figure 2, for a test setup with three sensors mounted on a commercially available air purifier, the test result shows that with the denoiser filter enabled, the sensor is robust against the vibration generated by a different fan of the air purifier.
Figure 2. Vibration robustness of XENSIVTM PAS CO2
For more details, visit the CO2 sensor website and see the application note, General design in guidelines for XENSIV™ PAS CO2 sensor.
Figure 3. Impact of CO2 on the human body at various concentration levels
Source
One such setup is as follows:
Evaluation kits are already available with major distributors.
Figure 4. Average power consumption
For more information, see Section 3 of the application note, XENSIV™ PAS CO2 for low-power applications.
With the automatic baseline offset correction (ABOC) feature enabled, the sensor accuracy drifts by 1% every year.
Figure 5. Values of pressure and acoustic stability
See Section 4.1.5 - Transfer function table in the datasheet.
Each sensor is calibrated during our production for the complete operating range. Production calibration is done with highly accurate CO2 gas bottle and verified with an ideal reference sensor.
The sensor might show small amount of offset after assembly due to stress generated from the assembly process on the light source. Therefore, to get the best performance, this offset should be corrected using either FCS or ABOC.
For the FCS calibration, you need to have a reference sensor. In the ABOC mechanism, the device keeps track of the minimum value recorded over a week. The offset to the reference baseline is computed and used to calculate the correction factor to be applied for the week after.
Figure 6. Operation of the ABOC feature
See the application note, After-assembly calibration scheme for XENSIV™ PAS CO2 for more details.
Figure 7. Airflow direction
See the application note, General design in guidelines for XENSIV™ PAS CO2 sensor for details.
Note: For more information, see the Community webpage for CO2 sensor where you can find answers to your questions and ask your own.
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Translation - English: Differences between the CY62126/36/46 and the CY62127/37/47
【質問】
CY62126 / 36 / 46とCY62127 / 37 / 47の相違点を教えてください。
【回答】
CY62126 / 36 / 46とCY62127 / 37 / 47の相違点は、CY62127 / 37 / 47 は/CEをHigh、もしくは / BHEと/ BLEをHighにすることで、
選択を解除できることです。CY62126 / 36 /46は、/CEを使用することによってのみ選択解除できます。
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Translation - English: tLZOE and tHZOE demystified
【質問】
データシートのタイミング仕様ではtLZOE(min) とtHZOE(max)がそれぞれ5nsと20nsと記載されています。
しかし、Note.15は任意の温度と電圧でのtHZOEがtLZOEよりも小さいことに言及しています。
この解釈を教えてください。
【回答】
一見すると、データシートに間違いがあるように見受けられますが、これらのパラメータは反対の条件でテストされることを
念頭に置いてください。
つまり、tLZOEは高Vcc、低温、高速のコーナー条件でテストされますが、tHZOEは低Vcc、高温、低速のコーナー条件でテストされます。
そのため、前者はMinスペックで、後者はMaxスペックです。
従って、任意の温度と電圧でバスの競合を防ぐためにtHZOEがtLZOEよりも小さくなるように設計され、保証されています。
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Translation - English: Similarities and Differences Between the CY7C199C and CY7C199CN Parts – KBA91346
【質問】
非同期SRAMのCY7C199CとCY7C199CNの主な類似点と相違点を教えてください。
【回答】
非同期SRAMのCY7C199CとCY7C199Nはどちらも0.25umテクノロジーを採用している非同期高速SRAMです。
製品としてCY7C199CとCY7C199CNのパッケージ形状、信頼性や機能に相違はありません。
但し、CY7C199CNには、ダイの周囲に水分の浸透を防ぐための不浸透性の窒化物シールマスク(NSM)があり、信頼性が向上します。
他の層には追加されていません。
また、CY7C199Cは既に製造しておりませんので、注意してください。
どちらの製品も28ピンのDIP、及び SOJパッケージで提供されます。
CY7C199Cは、28ピンのTSOPパッケージでも提供されていましたが、このパッケージはCY7C199CNではサポートされていません。
CY7C199Cは12ns、15ns、及び 20 nsのスピードグレードを提供していましたが、CY7C199CNは15nsのスピードグレードのみ提供しています。
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質問:
x32構成のSRAMを使用していたが、x36構成のSRAMへ変更する際、追加分の4つの未使用端子への入力がフローティングになります。
問題有無を教えてください。
回答:
CMOS入力の端子に対して、フローティング状態にしておくことは推奨しません。
入力がフローティング状態になっている時、いかなるSRAMも有効な信号を保持するため、
データ入力に対し、内部プルアップ、または プルダウンを持っていません。
お客様がデータラインをパリティに使用したくない場合、プルアップ、または プルダウンする必要があります。
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Translation - English: Information on Industry standard JTAG interfaces on SRAM's.
質問:
業界標準のJTAGインターフェースに関してCypressの方針とJTAGインターフェースの搭載有無、及び 開発計画を教えてください。
回答:
Cypress製品の既存のJTAG機能は、他のベンダーの互換性のある全てもメモリのJTAG機能と同一です。
これは2つも異なるステップで対処しましょう。
- 標準SRAM : 標準SRAMではJTAG機能は全てのベンダーで同一ですが、BDSLファイルは設計(シリコンとパッケージ) によって
異なる場合があります。
BDSLファイルの違いはピン番号に関することが多く、他項目ではありません。
- QDR SRAM : QDR SRAMではJTAGボードの機能とピン配置を標準化するために、過去2ヶ月間苦労してきました。
最近、これは達成されたため、各ベンダーのBSDLファイルはQDR-IIでも同一です。BSDLファイルの唯一の違いはデバイスIDです。
これはデバイス毎に異なると想定されます。但し、ユーザーはデバイスIDを無視しても、問題なく、デバイスをテストすることができます。
我々は6社のクローズドコンソーシアムによって、QDR-IIでこれを達成することが出来ました。
標準の同期SRAMは複数のベンダーによって製造されており、様々なベンダーのBSDLファイルを標準化することは非常に困難です。
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Translation - English: Comparison of Iccdr Between Cy7C109 and CY7C109BN
【質問】
CY7C109と比較して、CY7C109BNのIccdr(データ保持電流) が高い理由を教えてください。
【回答】
CY7C109は0.35umのプロセステクノロジーを使用して製造されました。
それに引き換え、CY7C109BNは0.25umのプロセステクノロジーを使用して製造されています。
プロセステクノロジーの違いと0.25umのプロセステクノロジーの内部電圧が低いことにより、
CY7C109BNのデータ保持電流はCY7C109の50uAから150uAに増加しました。
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Translation - English: Does CY62256 have pull up resistor on the I/O ?
【質問】
CY62256のI/Oピンにプルアップ抵抗は挿入されていますか?
【回答】
はい、CY62256はI/OピンにPMOSプルアップがあります。
基本的に、この特定のピンは最大3.8Vまで上がるよう設計されています。
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Translation - English: clarify tSCE
【質問】
Micropower SRAMはデバイスがスタンバイ状態からウェィクアップする時、書き込み時間はtSCEによってのみ決定しますか?
【回答】
はい。データをメモリセルに書き込むために必要な最小の/WEパルスは、書き込みパルス幅(tPWE) と呼ばれます。
このパラメータはメモリを書き込むために、書き込み有効化回路がデータ入力ドライバを内部パスに接続するスピードによって決まります。
さらに、このパラメータは書き込み動作が完了するスピードにも影響を与えます。
従って、動作には下記4つの可能性があります。
従って、デバイスがスタンバイ状態からウェイクアップ後、/CEによって書き込みが開始された場合(上記2と4のケース)、
tSCEは書き込み時間を制御するパラメータになります。
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Translation - English: High Z parameters for some SRAM's clarifications
【質問】
特定のSRAMのスピードグレード-15, -20, -25のtHZWEはtLZHEより短く指定されていますが、これは正しいですか?
【回答】
はい、これは正しいです。
データシートの注釈7によって、特定の温度、及び 電圧範囲においてtHZHEがtLZHEよりも短くなることが明記されています。
いくつかの高速非同期SRAMのデータシートでは、tLZWEの値はtHZWEの値より短くなっていますが、
tLZWEは常に最小スペックとして指定され、tHZWEは最大スペックとして指定されています。
通常の動作の過程で、tHZWEはtLZWEよりも小さくすべきです。
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