cancel
Showing results for 
Search instead for 
Did you mean: 

Knowledge Base Articles

nvSRAMのWE#端子へのプルアップ抵抗 - KBA83047 - Community Translated (JA)

SivaK_96
Employee

nvSRAMのWE#端子へのプルアップ抵抗 - KBA83047 - Community Translated (JA)

Community Translated by  KaKi_1384211 Expert    Version: **

Translation - English: Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM – KBA83047

【質問】

nvSRAMWE#端子にプルアップ抵抗を接続する理由を教えてください。

また、そのプルアップ抵抗値を教えてください。

nvSRAMの特定領域が破損しているにも関わらず、他の全ての領域で正常に保存できる、また 復元される理由を教えてください。

【回答】

nvSRAMは通常アプリケーションのマイクロコントローラ、または マイクロプロセッサのI/Oに接続されます。

多くのマイクロコントローラとマイクロプロセッサは起動シーケンス中にI/Oをトライステートにします。

これらのI/Oは、アプリケーションプロセッサに応じて、電源投入後から数msから数百msの間で立ち上がります。

一方、nvSRAMRECALL動作には大凡20ms必要とされます。その後、nvSRAMは通常アクセスの準備が整います。

アプリケーションプロセッサのI/O20ms以内に立ち上がらず、トライステートのCE#端子、及び WE#端子が論理Low

状態になった場合、nvSRAMの書き込み動作が開始されます。

この時、nvSRAMのアドレスラインの論理レベルをラッチし、その特定アドレス領域に対し、ランダムデータが書き込まれます。

nvSRAMを保護するためには、5.6KΩ~10KΩの外部プルアップ抵抗を使用してWE#端子をプルアップします。

0 Likes
Version history
Revision #:
1 of 1
Last update:
‎Jul 31, 2020 12:13 AM
Updated by:
 
Contributors