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Translation - English: Corruption in a Particular Location of nvSRAM even Though WE# is Pulled Up to VCC – KBA83102
質問:
WE#端子がVCCにプルアップされているにも関わらずnvSRAMの特定領域(通常0x0000) が破損する理由を教えてください。
回答:
特定コントローラ / FPGAは起動時にI/OをLowに遷移する場合があります。
その結果、特定コントローラ / FPGAによって、WE#端子がLowに引っ張られる場合があります。
これにより、WE#端子のプルアップ抵抗がWE#端子のHigh論理を保証するには効果的に働かない場合があります。
この場合、起動中に特定のコントローラ / FPGAがこの端子をトライステートに設定されていることを確認する必要があります。
nvSRAMのWE#端子のプルアップ抵抗の必要性については、Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM – KBA83047.
で説明されています。
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