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VCCにプルアップされているWE#端子を持つnvSRAMの特定領域での破損 - KBA83102 - Community Translated (JA)

VCCにプルアップされているWE#端子を持つnvSRAMの特定領域での破損 - KBA83102 - Community Translated (JA)

GeethaP_31
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Community Translated by KaKi_1384211 Expert        Version: **

Translation - English: Corruption in a Particular Location of nvSRAM even Though WE# is Pulled Up to VCC – KBA83102

質問:

WE#端子がVCCにプルアップされているにも関わらずnvSRAMの特定領域(通常0x0000) が破損する理由を教えてください。

回答:

特定コントローラ / FPGAは起動時にI/OLowに遷移する場合があります。

その結果、特定コントローラ / FPGAによって、WE#端子がLowに引っ張られる場合があります。

これにより、WE#端子のプルアップ抵抗がWE#端子のHigh論理を保証するには効果的に働かない場合があります。

この場合、起動中に特定のコントローラ / FPGAがこの端子をトライステートに設定されていることを確認する必要があります。

nvSRAMWE#端子のプルアップ抵抗の必要性については、Pull-Up Resistor on the WE# Control Line of an nvSRAM – KBA83047.

で説明されています。

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