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SEMPERTM Flashメモリのプログラム/消去性能の最適化 – KBA233190

SEMPERTM Flashメモリのプログラム/消去性能の最適化 – KBA233190

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SEMPERTM Flashメモリのプログラム/消去性能の最適化 – KBA233190

Translated by: keni_4440091

Original KBA: Optimizing Program/Erase Performance on SEMPER™ Flash Memories - KBA233190

Version: **

SEMPERTM Flashメモリのプログラムおよび消去性能を最適化するには以下のオプションに従ってください。

 

  1. 全てのインフィニオンメモリは、事前に消去状態で工場から出荷されます。そのため、お客様の生産過程で再び消去する必要はありません。これにより多くの時間を節約できます。
  2. 電源(VCC)レベルを上げると、プログラム/消去性能が向上します。
  3. 構成レジスタ-3 CFR3x[5] (BLKCHK)ビットを1に設定することでブランクチェック機能を有効にすると、空のセクターの再消去をスキップし、時間を節約できます。
  4. 消去の中止/再開コマンドの数を減らすと、レイテンシーのペナルティーを招き、高速動作から組み込み動作を妨げます。
  5. 構成レジスタ-3 CFR3x[4] (PGMBUF)ビットを1に設定し、256バイトのデフォルト値の代わりに512バイトのフル書込みバッファサイズを使用してください。
  6. 構成レジスタ-3 CFR3x[3] (UNHYSA)ビットを1に設定することにより、可能な限り4kBの小セクターを無効にし、これらの小セクターの消去は、通常256kBの大きなセクターを消去するよりも時間を取ります。
  7. 短いポーリング間隔を使用し、組み込み操作の終了の正確な時間を検出するために、ステータスレジスタのポーリングアプローチを使用してください。潜在的なオーバーヘッドを限定するため、タイムアウト期間ベースアプローチの使用を避けて下さい。
  8. 適切なコンパイラオプションを使用してコードサイズの最適化を行う代わりに、コードバイナリを実行用に最適化してください。
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