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CY7C109とCY7C109BNのIccdr(データ保持電流) の比較 - Community Translated (JA)

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ChaitanyaV_61
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CY7C109とCY7C109BNのIccdr(データ保持電流) の比較 - Community Translated (JA)

Community Translated by KaKi_1384211        Version: **

Translation - English: Comparison of Iccdr Between Cy7C109 and CY7C109BN

【質問】

CY7C109と比較して、CY7C109BNIccdr(データ保持電流) が高い理由を教えてください。

【回答】

CY7C1090.35umのプロセステクノロジーを使用して製造されました。

それに引き換え、CY7C109BN0.25umのプロセステクノロジーを使用して製造されています。

プロセステクノロジーの違いと0.25umのプロセステクノロジーの内部電圧が低いことにより、

CY7C109BNのデータ保持電流はCY7C10950uAから150uAに増加しました。

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