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CAPSENSE™ 接地环路以及RawCounts噪声读数高 - KBA236220

CAPSENSE™ 接地环路以及RawCounts噪声读数高 - KBA236220

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Community Translation:CAPSENSE-GND-loop-problem-and-noisy-RawCounts-KBA236220

问题:CAPSENSE™中的接地环路是什么意思?如何解决?为什么出现这种情况后,IDAC Sourcing模式下RawCounts噪声读数高,而切换到IDAC Sinking模式下,噪声情况却有所改善?

答案:

接地环路: 如果CMOD Ground,CSH_TANK Ground 和Sensor Ground 连接至中心点的路径过长,就会出现接地环路 。回流路径过长会导致系统易受到噪声干扰。因此,布置电源到PSoC™设备之间的GND连接时,建议采用最短的路径。

要解决接地环路问题,建议按照以下方式优化布局:

  • 如果地平面分配在了不同叠层,要尽量把它们拼接在一起。此举在兼顾成本控制的同时,还能降低接地电感、最大限度缩小芯片接地线与电源接地线之间的电位差。这一点在大电流通过地线灌入的场合,如运行radio时,尤为重要。
  • 建议给VDDDVDDA接去耦电容。如果芯片上有两个VDDD pin,每个pin都需要单独连接去耦电容。去耦电容和CAPSENSE™串联电阻离引脚的距离应控制在10mm 以内。
  • 建议分开处理VSSD(数字地)和VSSA(模拟地)。如果合在一起,数字地的噪声会混进模拟地,从而影响CAPSENSE™输出。
  • CAPSENSE™要求地平面以星型接法连接至中心点。所有导线连接至中心点,返回电源GND的路径唯一且最短。如果不采用星型连接,而是将多条GND 线连接至同一个电源GND,会导致线路乃至整个系统更易受到噪声影响。采用星型连接能保证返回电源GND的路径唯一,大大提升了系统的抗噪声干扰能力。
  • CAPSENSE™ 地平面到中心点电感量应小于0.2-nH 。因此,CMOD, CINTX, CSH_TANK 电容放置要尽量靠近芯片,地平面要厚。
  • 所有传感器hatch层,CMOD和CINTX 地平面,CSH_TANK 地平面都要止于中心点。

Figure 1为星型连接示意图。不同芯片对应的中心点位置如Table 1所示。

LinglingG_46_0-1679033867315.png
Figure 1 地平面星型连接示意图

Table 1:  星型连接中心点位置

芯片型号

中心点

PSoC™ 4000

VSS pin

PSoC™ 4100/4100M

VSS pin

PSoC™ 4200/4200M/4200L/PSoC™ 4-S/PSoC™ 4100PS

VSS pin

PSoC™ 4100-BL

E-pad

PSoC™ 4200-BL

E-pad

 

  • 使用无E-pad 芯片

如果芯片没有E-pad,应设VSS pin为中心点,将其作为电源地的唯一返回路径。这种情况下,板卡顶层和底层的高电平布局图如Figure 2Figure 3所示。

LinglingG_46_1-1679034046205.png

Figure2  使用无E-pad 芯片 ,PCB 顶层布局图

LinglingG_46_2-1679034102516.png

Figure 3 使用无E-pad 芯片,PCB 底层布局图

如果无法改变硬件布局,可使用以下软件解决方法。

当系统出现接地环路时,系统易受噪声影响。此时,接地电位不为0,与中心点形成电位差。因此,IDAC sourcing模式下,RawCounts噪声读数增大。要明白为什么切换到IDAC Sinking后,RawCounts噪声读数相对降低,首先需要了解IDAC Sourcing模式和IDAC Sinking模式之间的区别。

  • IDAC Sourcing vs IDAC Sinking
  1. IDAC Sourcing 模式: IDAC Sourcing 模式下, 传感器电容上的电压从地拉电流到VREF ,如Figure 4所示。LinglingG_46_3-1679034194087.png                                                                                              Figure4 传感器电容电压
  2. IDAC Sinking 模式:  IDAC Sinking 模式下,传感器电容电压由VDDD灌电流到VREF,如Figure 5所示。

     

LinglingG_46_4-1679034440782.png

Figure5 传感器电容电压

可以看出,在IDAC Sourcing模式下,传感器电容上的电压在GNDVREF之间变化 。当系统出现接地环路时,系统内接地电位不为0,与中心点形成电位差。所以在IDAC Sourcing模式下,GND噪声被放大,RawCount噪声读数增大。选择IDAC Sinking模式可以避免出现这种情况,因为即使Ground有噪声(Ground与中心点形成电位差,出现噪声),它也不会像IDAC sourcing模式那样增大RawCount噪声读数;因为这个模式下,电压从VDDD 灌电流到VREF ,不受Ground噪声的影响。

Note: 在IDAC Sinking 模式下,VDDD直接充电,比sourcing 模式更容易受到电源噪声的影响。因此,使用Sinking模式需要使用LDO/稳定的VDD

综上所述,IDAC Sourcing模式切换到IDAC Sinking模式下,RawCounts噪声读数有所改善。

 

 

 

 

 

 

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