AURIX™ MCU: データフラッシュ消去妨害制限パラメータ定義 - KBA234714
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11 16, 2022
01:12 AM
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11 16, 2022
01:12 AM
Translated by: keni_4440091
Original KBA: AURIX™ MCU: Data Flash erase disturb limit parameter definition - KBA234714
Version: **
質問: 何故データフラッシュ消去妨害制限パラメータはデータシートで定義されていますか?また、どうやって50回消去の値に到達しますか?
回答: メモリデバイスでは、セルは電気的に完全に絶縁されていません。したがって、メモリの一部のデータの消去は、時間の経過で、その領域の繰り返しの消去動作の後に、隣接するセルの内容に影響を与える可能性があります。インフィニオンは、1つの領域で50回の消去を閾値として定義しており、その後、隣接セルの内容が信頼できないとして考慮されなければいけません。これは、「データフラッシュ消去妨害制限」としてデータシートの「フラッシュターゲットパラメータ」の章に定義されています。
50回の値の到達を避けるためには、フラッシュEEPROMエミュレーションアルゴリズムを介して定期的にデータを更新する必要があります。各々のアプリケーションでは、固有の読み出しおよび消去サイクルが記載されている場合があることに注意してください。したがって、ユーザーズマニュアルの「堅牢なEEPROMエミュレーション」の章を参照して、これらの対策の適切な使用および実装を決定する必要があります。
注: このKBAは、AURIX™ MCUの以下のシリーズに適用されます:
- AURIX™ TC2xx series
- AURIX™ TC3xx series
- タグ:
- pmu
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